Dynamischer Ausgleich parallelgeschalteter SiC-MOSFETs durch adaptive Gate-Strom-Steuerung: Wissenschaftliche Arbeit zur Erlangung des akademischen Grades Master of Engineering an der Technischen Hochschule Deggendorf, Prüfer: Prof. Dr.-Ing. Mathias Hartmann, THD, Fakultät Maschinenbau = Dynamic balancing of paralleled SiC-MOSFETs using adaptive gate current shaping
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Nguyen, Tran Hoang Duy (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Deggendorf Technische Hochschule 2024
Schlagwörter:
Beschreibung:Keine Fernleihe möglich
Umfang:xvi, 89 Seiten Illustrationen, Diagramme