Verfügbarkeit: Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN

Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Heckel, Thomas Michael (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Elektronisch E-Book
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Erlangen ; Nürnberg 2021
Schlagwörter:	Leistungshalbleiter Halbleiterbauelement Siliciumcarbid Galliumnitrid SiC GaN Halbleiter Leistungselektronik Simulation Hochschulschrift
Links:	https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478 https://d-nb.info/1231078049/34 https://open.fau.de/handle/openfau/16147
Umfang:	1 Online-Ressource (vii, 310 Seiten) Illustrationen, Diagramme

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000zc 4500
001	BV047241439
003	DE-604
005	00000000000000.0
007	cr\|uuu---uuuuu
008	210416s2021 gw a\|\|\| om\|\|\| 00\|\|\| ger d
015			\|a 21,O05 \|2 dnb
016	7		\|a 1231078049 \|2 DE-101
024	7		\|a urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478 \|2 urn
035			\|a (OCoLC)1249666739
035			\|a (DE-599)DNB1231078049
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rda
041	0		\|8 3\p \|a ger
044			\|a gw \|c XA-DE-BY
049			\|a DE-384 \|a DE-473 \|a DE-703 \|a DE-1051 \|a DE-824 \|a DE-29 \|a DE-12 \|a DE-91 \|a DE-19 \|a DE-1049 \|a DE-92 \|a DE-739 \|a DE-898 \|a DE-355 \|a DE-706 \|a DE-20 \|a DE-1102 \|a DE-860 \|a DE-2174
084			\|a ZN 4800 \|0 (DE-625)157408: \|2 rvk
084			\|8 1\p \|a 621.317 \|2 23ksdnb
084			\|8 2\p \|a 621.3 \|2 23sdnb
100	1		\|a Heckel, Thomas Michael \|0 (DE-588)1169835619 \|4 aut
245	1	0	\|a Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN \|c vorgelegt von Thomas Heckel
264		1	\|a Erlangen ; Nürnberg \|c 2021
300			\|a 1 Online-Ressource (vii, 310 Seiten) \|b Illustrationen, Diagramme
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b c \|2 rdamedia
338			\|b cr \|2 rdacarrier
502			\|b Dissertation \|c Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg \|d 2018
583	1		\|a Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet \|5 DE-101 \|2 pdager
650	0	7	\|a Leistungshalbleiter \|0 (DE-588)4167286-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Siliciumcarbid \|0 (DE-588)4055009-6 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Galliumnitrid \|0 (DE-588)4375592-6 \|2 gnd \|9 rswk-swf
653			\|a SiC
653			\|a GaN
653			\|a Halbleiter
653			\|a Leistungselektronik
653			\|a Simulation
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
689	0	0	\|a Leistungshalbleiter \|0 (DE-588)4167286-0 \|D s
689	0	1	\|a Galliumnitrid \|0 (DE-588)4375592-6 \|D s
689	0	2	\|a Siliciumcarbid \|0 (DE-588)4055009-6 \|D s
689	0	3	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|D s
689	0		\|5 DE-604
776	0	8	\|i Erscheint auch als \|n Druck-Ausgabe \|z 978-3-8439-3764-1
856	4	0	\|u https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478 \|x Resolving-System \|z kostenfrei \|3 Volltext
856	4	0	\|u https://d-nb.info/1231078049/34 \|x Langzeitarchivierung Nationalbibliothek \|z kostenfrei \|3 Volltext
856	4	0	\|q application/pdf \|u https://open.fau.de/handle/openfau/16147 \|x Verlag \|z kostenfrei \|3 Volltext
912			\|a ebook
883	0		\|8 1\p \|a aepkn \|c 0,92296 \|d 20210410 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#aepkn
883	0		\|8 2\p \|a aepsg \|c 0,93702 \|d 20210410 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#aepsg
883	1		\|8 3\p \|a npi \|d 20210409 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#npi
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032645695

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_katkey	2551581
_version_	1821936150978232321
any_adam_object
author	Heckel, Thomas Michael
author_GND	(DE-588)1169835619
author_facet	Heckel, Thomas Michael
author_role	aut
author_sort	Heckel, Thomas Michael
author_variant	t m h tm tmh
building	Verbundindex
bvnumber	BV047241439
classification_rvk	ZN 4800
collection	ebook
ctrlnum	(OCoLC)1249666739 (DE-599)DNB1231078049
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
format	Thesis Electronic eBook
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02812nam a2200625zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV047241439</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">cr\|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">210416s2021 gw a\|\|\| om\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">21,O05</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1231078049</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478</subfield><subfield code="2">urn</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1249666739</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1231078049</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">3\p</subfield><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-BY</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-384</subfield><subfield code="a">DE-473</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-1051</subfield><subfield code="a">DE-824</subfield><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield><subfield code="a">DE-1049</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-739</subfield><subfield code="a">DE-898</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-20</subfield><subfield code="a">DE-1102</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-2174</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4800</subfield><subfield code="0">(DE-625)157408:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">621.317</subfield><subfield code="2">23ksdnb</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="a">621.3</subfield><subfield code="2">23sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Heckel, Thomas Michael</subfield><subfield code="0">(DE-588)1169835619</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Thomas Heckel</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Erlangen ; Nürnberg</subfield><subfield code="c">2021</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource (vii, 310 Seiten)</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">Dissertation</subfield><subfield code="c">Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg</subfield><subfield code="d">2018</subfield></datafield><datafield tag="583" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet</subfield><subfield code="5">DE-101</subfield><subfield code="2">pdager</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">SiC</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GaN</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Halbleiter</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Leistungselektronik</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Simulation</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumnitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4375592-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="776" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">Erscheint auch als</subfield><subfield code="n">Druck-Ausgabe</subfield><subfield code="z">978-3-8439-3764-1</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478</subfield><subfield code="x">Resolving-System</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://d-nb.info/1231078049/34</subfield><subfield code="x">Langzeitarchivierung Nationalbibliothek</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">https://open.fau.de/handle/openfau/16147</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ebook</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">aepkn</subfield><subfield code="c">0,92296</subfield><subfield code="d">20210410</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#aepkn</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="a">aepsg</subfield><subfield code="c">0,93702</subfield><subfield code="d">20210410</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#aepsg</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">3\p</subfield><subfield code="a">npi</subfield><subfield code="d">20210409</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#npi</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032645695</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet	Hochschulschrift
id	DE-604.BV047241439
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-12-20T19:13:49Z
institution	BVB
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-032645695
oclc_num	1249666739
open_access_boolean	1
owner	DE-384 DE-473 DE-BY-UBG DE-703 DE-1051 DE-824 DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-19 DE-BY-UBM DE-1049 DE-92 DE-739 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-706 DE-20 DE-1102 DE-860 DE-2174
owner_facet	DE-384 DE-473 DE-BY-UBG DE-703 DE-1051 DE-824 DE-29 DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-19 DE-BY-UBM DE-1049 DE-92 DE-739 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-706 DE-20 DE-1102 DE-860 DE-2174
physical	1 Online-Ressource (vii, 310 Seiten) Illustrationen, Diagramme
psigel	ebook
publishDate	2021
publishDateSearch	2021
publishDateSort	2021
record_format	marc
spellingShingle	Heckel, Thomas Michael Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd
subject_GND	(DE-588)4167286-0 (DE-588)4113826-0 (DE-588)4055009-6 (DE-588)4375592-6 (DE-588)4113937-9
title	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN
title_auth	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN
title_exact_search	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN
title_full	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Heckel
title_fullStr	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Heckel
title_full_unstemmed	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN vorgelegt von Thomas Heckel
title_short	Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN
title_sort	charakterisierung dynamischer eigenschaften und modellbildung neuartiger leistungshalbleiterbauelemente auf basis von sic und gan
topic	Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd
topic_facet	Leistungshalbleiter Halbleiterbauelement Siliciumcarbid Galliumnitrid Hochschulschrift
url	https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-161478 https://d-nb.info/1231078049/34 https://open.fau.de/handle/openfau/16147
work_keys_str_mv	AT heckelthomasmichael charakterisierungdynamischereigenschaftenundmodellbildungneuartigerleistungshalbleiterbauelementeaufbasisvonsicundgan

Verfügbarkeit

Bestellen (Login erforderlich)

Online lesen (frei zugänglich)
Paper/Kapitel scannen lassen