Verfügbarkeit: Tiegelfreie Elektronenstrahlverdampfung von Silizium für Elektronenstrahlkristallisationsversuche

Tiegelfreie Elektronenstrahlverdampfung von Silizium für Elektronenstrahlkristallisationsversuche:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Saager, Stefan 1985- (VerfasserIn)
Format:	Buch
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Veröffentlicht:	Dresden 2015
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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS KURZFASSUNG.^ INHALTSVERZEICHNIS.................................................................................................................. VII ABBILDUNGSVERZEICHNIS......................................................... IX RR .......................................................................................... XI ABKIIRZUNGS- UND SYMBOLVERZEICHNIS.................................................................................XI 1 MOTIVATION UND INHALT................................................................................................. 1 2. GRUNDLAGEN UND STAND DER TECHNIK....................................................................... 4 2.1 SILIZIUM-PHOTOVOLTAIK ............................................................................... 4 2.2 WECHSELWIRKUNG VON ELEKTRONEN MIT FESTKOERPERN ................................................... 6 2.3 ABSCHEIDUNG VON S ILIZIUM -D UE^CHICHTEN ................................................................ 9 2.3.1 CHEMISCHE A B SCH EID EV ERFAK N ...................................................................................9 2 3 .2 PHYSIKALISCHE ABSCHEIDEVE^^^ ............................................................................10 2.3.3 ELEKTRONENSTRAHLVERDAMPFEN...................................................................................... 10 2.3.4 AUSBILDUNG DER SCHICHTSTRUKTUR WAEHREND DES ABSCHEIDEPROZESSES ...... 17 2.4 KRISTALLISATION VON S ILIZIUM -D UISCHICHTEN............................................................ 23 2.4.1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN ZUR KRISTALLISATION...........................................................23 2.4.2 STAND DER TECHNIK ZUM KRISTALLISIEREN DUENNER SI-SCHICHTEN *****25 3 ZIELSETZUNG UND LOESUNGSANSATZ............................................................................. 29 4 UNTERSUCHUNGSMETHODEN......................................................................................... 31 4.1 VERSUCHSANLAGE........................................................................................................... 31 4.1.1 KONFIGURATION UND A UFBAU......................................................................................... 31 4.1.2 VAKUUMTECHNIK........................................................................................................... 33 4.1.3 K ANONENTECKIK UND STRAHLSTEUERUNG.......................................................................35 4.1.4 IN ** I * DES VERDAMPFUNGSGUTES ............................................ 39 4.2 ANALYSEMETHODEN FUER PROZESS- UND SCHICHT............................................................ 40 4.2.1 S TATICHE ABSCHEIDERATE * SCHICHTDICKE UND SCHICHTDICHTE.I**..I....**..I.....*...40 4.2.2 SCHICHTZUSAMMENSETZUNG.......................................................................................... 44 4.2.3 KRISTALLISATIONSGRAD UND KRISTALLORIENTIERUNG MITTELS EBSD................................45 4.3 SIMULATIONSRECHNUNGEN ZUR ESV UND ESK.............................................................. 45 4.3.1 KONKRETE PHYSIKALISCHE PROBLEMSTELLUNG UND SIMULATIONSAUFGABE* 4.3.2 FEM-MODELL ZUR TIEGEL-FREIEN ELEKTRONENSTRAHLVERDAMPFUNG ******50 4.3.3 FEM.MODELL ZUR ELEKTRONENSTRAHLKRISTALLISATION .................................................... 53 5. EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE UND VERGLEICH MIT SIM ULATION............................ 56 5.1 SCHICHTABSCHEIDUNG DURCH TIEGELFREIE ELEKTRONENSTRAHLVERDAMPFUNG ................. 56 5.1.1 AUFTEIZPROZESS DES VERDAMPFUNG^ ................................................................. 56 5.1.2 FOITISCHE LEISTUNGSDICHTE ZUM 60 5.1.3 AUSBILDUNG DES SCHMELZBADES .................................................................................. 62 5.1.4 OPTIMIERUNG DER B E S C H IC H TU G ..........................................................................65 5.1.5 SCHICHTDICKEOMOGENITAT...................................................................................69 5.1.6 ABKUEHLUNG DES SI-EINFAISTALLSTAB^^ * H VERDAMPFUNGSVERSUCHEN_^ 5.1.7 SCHICHTREINHEIT DER S I- S H ^ ............................................................................... 72 5.1.8 MORPHOLOGIE DER ABGESCHIEDENEN SILIZIUM-SCHICHTEN ............................................ 76 5.1.9 GASABSOI^TION DER SCHICHT IN VERSCHIEDENER UMGEBUNG........................................78 5.1.10 BESTIMMUNG DES ELASTIZITAETSMODULS ABGESCHIEDENER A-SI-SCHICHTEN **83 5.1.11 BESTIMMUNG DER MASSENDICHTE ABGESCHIEDENER A-SI SC H IC H TE N 84 5.2 ELEKTRONENSTRAHLKRISTALLISATION .................................................................................. 86 5.2.1 LINIENBEARBEITUNG VON BLANKEN SILIZIUM-SUBSTRATEN .............................................. 86 5.2.2 LINIENBEARBEITUNG VON A-SI-BESCHICHTETEN SILIZIUM-SUBSTRATEN.....90 5.2.3 SIMULATIONSRECHNUNG ZUM KRISTALLISIEREN MITTELS EB-LINIENSCANS............... 95 5.2.4 FLAECHIGE BEARBEITUNG VON BLANKEN SILIZIUM-SUBSTRATEN.........................................99 5.2.5 FLAECHIGE BEARBEITUNG VON A-SI-BESCHICHTETEN SILIZIUM-SUBSTRATEN._.__^^ 101 6 * DISKUSSION.................................................................................................................103 6.1 EINRICHTUNG * VORBEREITUNG UND BEWERTUNG DER TIEGELFREIEN ESV ..... 103 6.2 BELASTUNG MIT PARTIKELN UND DEREN AUSWIRKUNGEN................................................105 6.3 SCHICHTREINHEIT.......................................................................................................... 108 6.4 SCHICHTMORPHOLOGIE UND DAS AUFNAHMEVERMOEGEN FUER GASE .. 110 6.5 EB-BEARBEITUNG VON SILIZIUMSUBSTRATEN ................................................................ 115 6.6 * * ** * * ABGESCHIEDENERSILIZIUM-SCHICHTEN ........................................ OE 6.7 SCHICHTABLOESUNG WAEHLEND DER KRISTALLISATION ......................................................... 118 7 * ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK......................................................................... 121 A. ANHANG...................................................................................................................... 124 .1 HAEUFIGKEITSVERTEILUNG DER PARTIKEL.......................................................................... 124 .2 FEHLERBETRACHTUNG ZUR ANALYSE MITTELS SCHWINGQUARZEN......................................125 .2.1 SCHICHTDICHTE............................................................................................................. 125 .2.2 ABSO^TIONSMESSUNGEN.....____^^ .3 AUSBILDUNG DES SCHMELZKEGELS ............................................................................... 12 .3.1 VOLUMEN DES S C K E LZ SU M P FE S ............................................................................... 128 .3.2 A NSATZ........................................................................................................................ 129 .3.3 VEREINFACHUNGEN.......................................................................................................130 .4 ADIABATISCHE NAEHERUNG ZUR BERECHNUNG DER SCHMELZGRENZKURVE.... 131 LITERATURVERZEICHNIS............................................................................................................132 CURRICULUM V ITAE................................................................................................................ 140 PUBLIKATIONSLISTE.................................................................................................................. 141 DANKSAGUNG...........................................................................................................................142 VERSICHERUNG.........................................................................................................................143
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