Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren:
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| Format: | Hochschulschrift/Dissertation Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2015
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG I
EINLEITUNG VII
1. THEORETISCHE BETRACHTUNGEN 1
1.1. TVIANGULAR BARRIER DIODE 1
1.2. 1MOS 14
1.2.1. LATERALER IMOS 14
1.2.2. VERTIKALER IMOS 21
1.2.3. SKIZZE EINES ANALYTISCHEN MODELLS 27
2. TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN UND PROZESSENTWICKLUNG 31
2.1. STAND DER TECHNIK 32
2.1.1. REINIGUNG 32
2.1.2. EPITAXIE 33
2.1.3. MESASTRUKTURIERUNG 41
2.1.4. GATESTACK 43
2.1.5. PASSIVIERUNG 44
2.1.6. METALLISIERUNG 45
2.2. PROZESSENTWICKLUNG 46
2.2.1. EPITAXIE 47
2.2.2. GATEDIELEKTRIKUM 50
2.2.3. METALLISCHE GATEELEKTRODE 61
2.2.4. PASSIVIERUNG 63
2.3. ZUSAMMENFASSUNG DES NEU ENTWICKELTEN NIEDERTEMPERATURPROZESSES ....
69
3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 71
3.1. PIN-DIODEN 71
3.1.1. PIN-DIODEN AUS MBE-PROZESSEN 72
3.1.2. PIN-DIODEN AUS CVD-PROZESSEN 76
3.1.3. MODELLIERUNG 80
3.2. THANGULAR BARRIER DIODEN 81
3.2.1. SILIZIUM-GERMANIUM-TBDS 82
3.2.2. SILIZIUM-TBDS AUS MBE-PROZESSEN 87
V
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INHALTSVERZEICHNIS
3.2.3. SILIZIUM-TBDS AUS CVD-PROZESSEN 90
3.2.4. VERIFIKATION DER ERGEBNISSE 93
3.3. VERTIKALE STOSSIONISATIONSTRANSISTOREN 95
3.3.1. HIGH-K-METAL-GATE IMOS 95
3.3.2. HIGH-K-METAL-GATE SILIZIUM-GERMANIUM-IMOS 103
3.3.3. SCHLUSSFOLGERUNGEN 104
4. ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 107
A. ANHANG 111
DANKSAGUNG 137
VI
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