Integrierte MOS-Schaltungen:
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Format: | Elektronisch E-Book |
Sprache: | Deutsch |
Veröffentlicht: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1982
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Schriftenreihe: | Halbleiter-Elektronik, Eine aktuelle Buchreihe für Studierende und Ingenieure
14 |
Schlagwörter: | |
Links: | https://doi.org/10.1007/978-3-662-07944-7 |
Beschreibung: | Innerhalb von etwa 20 Jahren seit dem Erscheinen der ersten integrierten Schaltungen auf dem Markt erreicht die MOS-Technik heute den höchsten Grad der Integration in der Halbleitertechnik. Die Gründe für diese stürmische Entwicklung sind neben der Möglichkeit, MOS-Transistoren sehr dicht zu packen, auch das einfache Prinzip und der einfache Aufbau des MOS-Transistors. Der Zweck dieses Buches ist es, einen Überblick über die MOS-Technik sowie die mit ihr verbundenen Möglichkeiten zu geben. Es wendet sich gleichermaßen an den Technologen wie an den Schaltungsingenieur, die gemeinsam eine integrierte Schaltung entwickeln und herstellen. Mit steigendem Integrationsgrad wird es jedoch möglich, ganze Systeme auf dem Chip zu integrieren. Das Buch wendet sich daher auch an den Systemarchitekten, der eine Schaltung konzipiert und der über die technologischen und schaltungstechnischen Grundlagen Bescheid wissen sollte, da die Voraussetzung zum Gelingen eines hochkomplexen VLSI Schaltkreises die Kenntnis der Probleme des Partners ist. Das Buch wendet sich aber auch an Studenten der Physik, der Elektrotechnik und der Informatik, die sich neu in das Gebiet der integrierten MOS-Schaltungen einarbeiten wollen. Besonders für sie werden daher nach einer eingehenden Betrachtung des MOS-Kondensators die Grund struktur des MOS-Transistors sowie die aus diesem abgeleiteten Bauelemente beschrieben. Die Herstellungstechniken sowie die dabei auftretenden Probleme werden erläutert. Anschließend werden die Schaltungstechniken von integrierten MOS-Schaltungen und ihre Entwurfstechniken eingehend behandelt. |
Umfang: | 1 Online-Ressource (345 S.) |
ISBN: | 9783662079447 9783540115458 |
ISSN: | 0172-5882 |
DOI: | 10.1007/978-3-662-07944-7 |
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