Metallorganische Gasphasenepitaxie von dicken InGaN-Schichten und InGaN-Quantumwells:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Meyer, Tobias (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: 2011
Schlagwörter:
Umfang:214 S. Ill., graph. Darst.