Chemische Ätzverhalten ionenimplantierter SiO 2 - und Si 3 N 4 -Schichten auf Silizium:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteiligte Personen: Sennewald, Ekkehard (VerfasserIn), Wiedemann, Bernhard (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: 1983
Schlagwörter:
Umfang:108 Bl. Ill.