PCVD von dotierten amorphen Siliziumwasserstoffschichten in einer Hochfrequenz-Niederdruck-Gasentladung:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Albert, Matthias (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Dresden 1993
Schlagwörter:
Umfang:[10], 111 S. graph. Darst.