Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide und heiße Elektronen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Schmitt-Landsiedel, Doris 1952-2023 (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: 1983
Schlagwörter:
Umfang:179 S. graph. Darst.