Verfügbarkeit: Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger

Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger: der 'Hot-Electron'-Effekt

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Giebel, Thomas (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Nichtbestimmte Sprache
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1988
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Fortschritt-Berichte VDI 9 ; 81
Schlagwörter:	MOS-FET Heißes Elektron
Umfang:	115 S. graph. Darst.

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