Verfügbarkeit: Ein Beitrag zur Modellierung von MOSFETs für Hochfrequenzanwendungen

Ein Beitrag zur Modellierung von MOSFETs für Hochfrequenzanwendungen:

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Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Tian, Feng (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Berlin dissertation.de 2006
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schlagwörter:	Hochfrequenztransistor Parameteridentifikation Kleinsignalverhalten MOS-FET Simulation Ersatzschaltbild Hochschulschrift
Umfang:	III, 145 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3866241240

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