Verfügbarkeit: TMR- und TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

TMR- und TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Moser, Jürgen (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	2007
Schlagwörter:	Eisen Galliumarsenid Tunnelmagnetowiderstand Hochschulschrift
Links:	https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:355-opus-8783 https://epub.uni-regensburg.de/10601/
Beschreibung:	Regensburg, Univ., Diss., 2007
Umfang:	VI, 134 S. Ill., graph. Darst.

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