Verfügbarkeit: Gallium nitride electronics | Technische Universität München

Gallium nitride electronics:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Quay, Rüdiger 1971- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Berlin [u.a.] Springer 2008
Schriftenreihe:	Springer series in materials science 96
Schlagwörter:	Gallium nitride Semiconductors Borgruppennitride Nitride Verbindungstechnik Stoffeigenschaft Drei-Fünf-Halbleiter Halbleiterbauelement Integration > Mikroelektronik
Links:	http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=3094889&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm http://www.gbv.de/dms/ilmenau/toc/54336044X.PDF http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016171272&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
Umfang:	XXIX, 469 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	9783540718901

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 cb4500
001	BV022966967
003	DE-604
005	20100614
007	t\|
008	071115s2008 xx ad\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| eng d
020			\|a 9783540718901 \|9 978-3-540-71890-1
035			\|a (OCoLC)237019934
035			\|a (DE-599)BVBBV022966967
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakwb
041	0		\|a eng
049			\|a DE-703 \|a DE-634 \|a DE-83 \|a DE-1043 \|a DE-11 \|a DE-91G
050		0	\|a TK7871.15.G33
082	0		\|a 621.3815/2 \|2 22
084			\|a UP 3100 \|0 (DE-625)146372: \|2 rvk
084			\|a UQ 1100 \|0 (DE-625)146473: \|2 rvk
084			\|a ZN 3460 \|0 (DE-625)157317: \|2 rvk
084			\|a ELT 490f \|2 stub
084			\|a PHY 693f \|2 stub
084			\|a ELT 300f \|2 stub
100	1		\|a Quay, Rüdiger \|d 1971- \|e Verfasser \|0 (DE-588)123732123 \|4 aut
245	1	0	\|a Gallium nitride electronics \|c Rüdiger Quay
264		1	\|a Berlin [u.a.] \|b Springer \|c 2008
300			\|a XXIX, 469 S. \|b Ill., graph. Darst.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
490	1		\|a Springer series in materials science \|v 96
650		4	\|a Gallium nitride
650		4	\|a Semiconductors
650	0	7	\|a Borgruppennitride \|0 (DE-588)4590273-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Nitride \|0 (DE-588)4171929-3 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Verbindungstechnik \|0 (DE-588)4129183-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Stoffeigenschaft \|0 (DE-588)4192147-1 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Drei-Fünf-Halbleiter \|0 (DE-588)4150649-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Integration \|g Mikroelektronik \|0 (DE-588)4218840-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
689	0	0	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|D s
689	0	1	\|a Borgruppennitride \|0 (DE-588)4590273-2 \|D s
689	0	2	\|a Stoffeigenschaft \|0 (DE-588)4192147-1 \|D s
689	0	3	\|a Integration \|g Mikroelektronik \|0 (DE-588)4218840-4 \|D s
689	0	4	\|a Verbindungstechnik \|0 (DE-588)4129183-9 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|D s
689	1	1	\|a Drei-Fünf-Halbleiter \|0 (DE-588)4150649-2 \|D s
689	1	2	\|a Nitride \|0 (DE-588)4171929-3 \|D s
689	1	3	\|a Stoffeigenschaft \|0 (DE-588)4192147-1 \|D s
689	1	4	\|a Integration \|g Mikroelektronik \|0 (DE-588)4218840-4 \|D s
689	1	5	\|a Verbindungstechnik \|0 (DE-588)4129183-9 \|D s
689	1		\|5 DE-604
776	0	8	\|i Erscheint auch als \|n Online-Ausgabe \|z 978-3-540-71892-5
830		0	\|a Springer series in materials science \|v 96 \|w (DE-604)BV000683335 \|9 96
856	4		\|u http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=3094889&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm \|3 Beschreibung für Leser
856	4		\|u http://www.gbv.de/dms/ilmenau/toc/54336044X.PDF \|3 Inhaltsverzeichnis
856	4	2	\|m SWB Datenaustausch \|q application/pdf \|u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016171272&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA \|3 Inhaltsverzeichnis
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016171272

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_call_number	0202 ELT 300f 2010 A 3990
DE-BY-TUM_katkey	1726804
DE-BY-TUM_location	02
DE-BY-TUM_media_number	040020768052
_version_	1824804320561856512
adam_text	CONTENTS LIST OF SYMBOLS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XVII LIST OF ACRONYMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XXV 1 INTRODUCTION 2 III-N MATERIALS, AND THE STATE-OF-THE-ART OF DEVICES AND CIRCUITS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2.1 STATE-OF-THE-ART OF MATERIALS RESEARCH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2.1.2 MATERIAL LIMITATIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 2.1.3 THERMAL PROPERTIES AND LIMITATIONS . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.1.4 TERNARY AND QUATERNARY III-N MATERIALS . . . . . . . . . . . 23 2.2.1 SPONTANEOUS POLARIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 2.2.2 PIEZOELECTRIC POLARIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 2.2.3 DEVICE DESIGN USING POLARIZATION-INDUCED CHARGES . . 32 2.2.4 ANALYTICAL CALCULATION OF CHANNEL CHARGE CONCENTRATIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 2.2.5 DOPING ISSUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 2.2.6 SURFACES AND INTERFACES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 2.2.7 TRANSPORT PROPERTIES IN POLARIZED SEMICONDUCTORS . . . 46 2.2.8 POLARIZATION-BASED DEVICES AND THEIR SPECIFIC PROPERTIES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 2.3 ELECTRICAL AND THERMAL LIMITATIONS OF MATERIALS AND DEVICES 48 2.3.1 PHYSICAL MODELING OF DEVICES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 2.3.2 DEVICES: FIGURES-OF-MERIT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 2.3.3 III-N DEVICES: FREQUENCY DISPERSION . . . . . . . . . . . . . . . 52 2.4 SUBSTRATES FOR ELECTRONIC DEVICES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 2.4.2 SILICON CARBIDE SUBSTRATES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56 XII CONTENTS 2.4.3 SAPPHIRE SUBSTRATES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 2.4.4 SILICON SUBSTRATES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62 2.4.5 GAN AND ALN SUBSTRATES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62 2.5 STATE-OF-THE-ART OF DEVICES AND CIRCUITS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 2.5.1 NITRIDE-BASED DIODES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 2.5.2 POWER ELECTRONICS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 2.5.3 RF-METAL SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MESFETS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 2.5.4 METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MISFETS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 2.5.5 HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTS) . . . . . . . 71 2.5.6 HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS (HBTS) . . . . . . . . . 84 2.5.7 MMIC HEMT TECHNOLOGY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86 2.6 APPLICATIONS ISSUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87 2.6.1 BROADBAND COMMUNICATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88 2.6.2 RADAR COMPONENTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88 2.6.3 ELECTRONICS IN HARSH ENVIRONMENTS . . . . . . . . . . . . . . . . 89 2.7 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 3 EPITAXY FOR III-N-BASED ELECTRONIC DEVICES . . . . . . . . . . . . . . 91 3.1 THE ALGAN/GAN MATERIAL SYSTEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 3.1.1 METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 3.1.2 MOLECULAR BEAM EPITAXY (MBE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 3.1.3 MOCVD AND MBE GROWTH ON ALTERNATIVE SUBSTRATES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121 3.1.4 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELO) . . . . . . . . . . . . . . . 122 3.1.5 HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE). . . . . . . . . . . . . 122 3.2 INDIUM-BASED COMPOUNDS AND HETEROSTRUCTURES . . . . . . . . . . . 123 3.2.1 MOCVD GROWTH OF INDIUM-BASED LAYERS . . . . . . . . . . 124 3.2.2 MBE GROWTH OF INDIUM-BASED LAYERS. . . . . . . . . . . . . . 125 3.2.3 INDIUM-BASED HETEROSTRUCTURE GROWTH . . . . . . . . . . . . . 126 3.3 DOPING AND DEFECTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 3.3.1 MOCVD GROWTH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128 3.3.2 MBE GROWTH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 3.4 EPITAXIAL DEVICE DESIGN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 3.4.1 GEOMETRICAL CONSIDERATIONS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 3.4.2 GROWTH OF CAP LAYERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133 3.4.3 DOPING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134 3.4.4 ALN INTERLAYER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 3.4.5 CHANNEL CONCEPTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137 3.4.6 EPITAXIAL IN-SITU DEVICE PASSIVATION . . . . . . . . . . . . . . . 137 3.5 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 CONTENTS XIII 4 DEVICE PROCESSING TECHNOLOGY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139 4.1 PROCESSING ISSUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139 4.2 DEVICE ISOLATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 4.2.1 MESA STRUCTURES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 4.2.2 ION IMPLANTATION FOR ISOLATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 4.3 CONTACT FORMATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144 4.3.1 OHMIC CONTACTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144 4.3.2 SCHOTTKY CONTACTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151 4.4 LITHOGRAPHY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157 4.4.1 OPTICAL LITHOGRAPHY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157 4.4.2 ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158 4.4.3 FIELD PLATES AND GATE EXTENSIONS. . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 4.5 ETCHING AND RECESS PROCESSES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165 4.5.1 DRY ETCHING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166 4.5.2 WET ETCHING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169 4.5.3 RECESS PROCESSES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170 4.6 SURFACE ENGINEERING AND DEVICE PASSIVATION . . . . . . . . . . . . . . . 174 4.6.1 PASSIVATION OF THE UNGATED DEVICE REGION . . . . . . . . . . 174 4.6.2 PHYSICAL TRAPPING MECHANISMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177 4.6.3 TRAP CHARACTERIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178 4.6.4 TECHNOLOGICAL MEASURES: SURFACE PREPARATION AND DIELECTRICS . . . . . . . . . . . . . . . . 182 4.6.5 EPITAXIAL MEASURES: SURFACE PREPARATION AND DIELECTRICS . . . . . . . . . . . . . . . . 188 4.7 GATE DIELECTRICS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189 4.8 PROCESSING FOR HIGH-TEMPERATURE OPERATION . . . . . . . . . . . . . . 191 4.9 BACKSIDE PROCESSING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192 4.9.1 THINNING TECHNOLOGIES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192 4.9.2 VIAHOLE ETCHING AND DRILLING TECHNOLOGIES . . . . . . . . . . 193 4.9.3 VIAHOLE METALLIZATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195 4.10 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196 5 DEVICE CHARACTERIZATION AND MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197 5.1 DEVICE CHARACTERISTICS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197 5.1.1 COMPACT FET ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197 5.1.2 COMPACT BIPOLAR ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209 5.2 FREQUENCY DISPERSION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211 5.2.1 DISPERSION EFFECTS AND CHARACTERIZATION . . . . . . . . . . . . 211 5.2.2 DISPERSION CHARACTERIZATION AND ANALYSIS . . . . . . . . . . . 214 5.2.3 MODELS FOR FREQUENCY DISPERSION IN DEVICES . . . . . . . . . 217 5.2.4 SUPPRESSION OF FREQUENCY DISPERSION . . . . . . . . . . . . . . . 220 5.3 SMALL-SIGNAL CHARACTERIZATION, ANALYSIS, AND MODELING . . . . . 220 5.3.1 RF-CHARACTERIZATION AND INVARIANTS . . . . . . . . . . . . . . . . 220 5.3.2 COMMON-SOURCE HEMTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222 5.3.3 DUAL-GATE HEMTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227 XIV CONTENTS 5.3.4 PULSED-DC- AND RF-CHARACTERISTICS . . . . . . . . . . . . . . . . 227 5.3.5 SMALL-SIGNAL MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230 5.4 LARGE-SIGNAL ANALYSIS AND MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235 5.4.1 LARGE-SIGNAL CHARACTERIZATION AND LOADPULL RESULTS . 235 5.4.2 LARGE-SIGNAL MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241 5.5 LINEARITY ANALYSIS AND MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255 5.5.1 BASIC UNDERSTANDING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 5.5.2 NITRIDE-SPECIFIC LINEARITY ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . 259 5.6 NOISE ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262 5.6.1 LOW-FREQUENCY NOISE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262 5.6.2 RF-NOISE ANALYSIS AND CHARACTERIZATION. . . . . . . . . . . . 265 5.7 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270 6 CIRCUIT CONSIDERATIONS AND III-N EXAMPLES . . . . . . . . . . . . . . 271 6.1 PASSIVE CIRCUIT MODELING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271 6.1.1 COPLANAR-WAVEGUIDE TRANSMISSION-LINE ELEMENTS . . . . 271 6.1.2 MICROSTRIP-TRANSMISSION-LINE ELEMENTS . . . . . . . . . . . . . 273 6.2 HIGH-VOLTAGE HIGH-POWER AMPLIFIERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274 6.2.1 BASIC PRINCIPLES OF HIGH-VOLTAGE HIGH-POWER OPERATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274 6.2.2 GENERAL DESIGN CONSIDERATIONS OF III-N AMPLIFIERS . . . 278 6.2.3 MOBILE COMMUNICATION AMPLIFIERS BETWEEN 500 MHZ AND 6 GHZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279 6.2.4 C-FREQUENCY BAND HIGH-POWER AMPLIFIERS . . . . . . . . . . 285 6.2.5 X-BAND HIGH-POWER AMPLIFIERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287 6.2.6 DESIGN, IMPEDANCE LEVELS, AND MATCHING NETWORKS . . 294 6.2.7 BROADBAND GAN HIGHLY LINEAR AMPLIFIERS . . . . . . . . . . 297 6.2.8 GAN MM-WAVE POWER AMPLIFIERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298 6.3 ROBUST GAN LOW-NOISE AMPLIFIERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 6.3.1 STATE-OF-THE-ART OF GAN LOW-NOISE AMPLIFIERS. . . . . . . 300 6.3.2 EXAMPLES OF GAN MMIC LNAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301 6.4 OSCILLATORS, MIXERS, AND ATTENUATORS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304 6.4.1 OSCILLATORS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307 6.4.2 GAN HEMT MIXER CIRCUITS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307 6.4.3 ATTENUATORS AND SWITCHES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308 6.5 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309 7 RELIABILITY ASPECTS AND HIGH-TEMPERATURE OPERATION . . . . 311 7.1 AN OVERVIEW OF DEVICE TESTING AND OF FAILURE MECHANISMS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.1.1 DESCRIPTION OF DEVICE DEGRADATION . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.1.2 DEGRADATION MECHANISMS IN III-N FETS . . . . . . . . . . . . 314 7.1.3 III-V HBT DEVICE DEGRADATION. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316 7.2 ANALYSIS OF NITRIDE-SPECIFIC DEGRADATION MECHANISMS. . . . . . . 317 7.2.1 DC-DEGRADATION. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318 7.2.2 RF-DEGRADATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 322 CONTENTS XV 7.3 FAILURE ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324 7.3.1 FAILURE MECHANISMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325 7.3.2 RELIABILITY CASE STUDIES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327 7.4 RADIATION EFFECTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331 7.5 HIGH-TEMPERATURE OPERATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332 7.6 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336 8 INTEGRATION, THERMAL MANAGEMENT, AND PACKAGING . . . . . . . 337 8.1 PASSIVE MMIC TECHNOLOGIES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337 8.1.1 PASSIVE ELEMENT TECHNOLOGIES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337 8.1.2 MICROSTRIP BACKEND TECHNOLOGY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 340 8.2 INTEGRATION ISSUES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341 8.3 THERMAL MANAGEMENT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343 8.3.1 THERMAL ANALYSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343 8.3.2 THERMAL MATERIAL SELECTION AND MODELING . . . . . . . . . . 345 8.3.3 BASIC THERMAL FINDINGS, HEAT SOURCES, AND THERMAL RESISTANCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 349 8.3.4 BACKSIDE COOLING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352 8.3.5 FLIP-CHIP INTEGRATION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355 8.3.6 DYNAMIC THERMAL EFFECTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357 8.4 DEVICE AND MMIC PACKAGING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358 8.4.1 DICING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358 8.4.2 DIE-ATTACH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 359 8.4.3 PACKAGE TECHNOLOGY SELECTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361 8.4.4 THERMAL MANAGEMENT FOR LINEAR APPLICATIONS . . . . . . . 363 8.4.5 ACTIVE COOLING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 365 8.5 PROBLEMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366 9 OUTLOOK . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367 APPENDIX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 369 REFERENCES OF CHAPTER 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371 REFERENCES OF CHAPTER 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 395 REFERENCES OF CHAPTER 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 405 REFERENCES OF CHAPTER 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419 REFERENCES OF CHAPTER 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429 REFERENCES OF CHAPTER 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439 REFERENCES OF CHAPTER 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 447 INDEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 455
any_adam_object	1
author	Quay, Rüdiger 1971-
author_GND	(DE-588)123732123
author_facet	Quay, Rüdiger 1971-
author_role	aut
author_sort	Quay, Rüdiger 1971-
author_variant	r q rq
building	Verbundindex
bvnumber	BV022966967
callnumber-first	T - Technology
callnumber-label	TK7871
callnumber-raw	TK7871.15.G33
callnumber-search	TK7871.15.G33
callnumber-sort	TK 47871.15 G33
callnumber-subject	TK - Electrical and Nuclear Engineering
classification_rvk	UP 3100 UQ 1100 ZN 3460
classification_tum	ELT 490f PHY 693f ELT 300f
ctrlnum	(OCoLC)237019934 (DE-599)BVBBV022966967
dewey-full	621.3815/2
dewey-hundreds	600 - Technology (Applied sciences)
dewey-ones	621 - Applied physics
dewey-raw	621.3815/2
dewey-search	621.3815/2
dewey-sort	3621.3815 12
dewey-tens	620 - Engineering and allied operations
discipline	Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
format	Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02956nam a2200685 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV022966967</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20100614 </controlfield><controlfield tag="007">t\|</controlfield><controlfield tag="008">071115s2008 xx ad\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| eng d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783540718901</subfield><subfield code="9">978-3-540-71890-1</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)237019934</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV022966967</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">eng</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-1043</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-91G</subfield></datafield><datafield tag="050" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">TK7871.15.G33</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3815/2</subfield><subfield code="2">22</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146372:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UQ 1100</subfield><subfield code="0">(DE-625)146473:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 3460</subfield><subfield code="0">(DE-625)157317:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 490f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 693f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 300f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Quay, Rüdiger</subfield><subfield code="d">1971-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)123732123</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Gallium nitride electronics</subfield><subfield code="c">Rüdiger Quay</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin [u.a.]</subfield><subfield code="b">Springer</subfield><subfield code="c">2008</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XXIX, 469 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Springer series in materials science</subfield><subfield code="v">96</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Gallium nitride</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">Semiconductors</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Borgruppennitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4590273-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4171929-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Verbindungstechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4129183-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Stoffeigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4192147-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Integration</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4218840-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Borgruppennitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4590273-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Stoffeigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4192147-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Integration</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4218840-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Verbindungstechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4129183-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Nitride</subfield><subfield code="0">(DE-588)4171929-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Stoffeigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4192147-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="4"><subfield code="a">Integration</subfield><subfield code="g">Mikroelektronik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4218840-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="5"><subfield code="a">Verbindungstechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4129183-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="776" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">Erscheint auch als</subfield><subfield code="n">Online-Ausgabe</subfield><subfield code="z">978-3-540-71892-5</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Springer series in materials science</subfield><subfield code="v">96</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000683335</subfield><subfield code="9">96</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2=" "><subfield code="u">http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=3094889&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm</subfield><subfield code="3">Beschreibung für Leser</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2=" "><subfield code="u">http://www.gbv.de/dms/ilmenau/toc/54336044X.PDF</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">SWB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016171272&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016171272</subfield></datafield></record></collection>
id	DE-604.BV022966967
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-12-20T13:06:24Z
institution	BVB
isbn	9783540718901
language	English
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-016171272
oclc_num	237019934
open_access_boolean
owner	DE-703 DE-634 DE-83 DE-1043 DE-11 DE-91G DE-BY-TUM
owner_facet	DE-703 DE-634 DE-83 DE-1043 DE-11 DE-91G DE-BY-TUM
physical	XXIX, 469 S. Ill., graph. Darst.
publishDate	2008
publishDateSearch	2008
publishDateSort	2008
publisher	Springer
record_format	marc
series	Springer series in materials science
series2	Springer series in materials science
spellingShingle	Quay, Rüdiger 1971- Gallium nitride electronics Springer series in materials science Gallium nitride Semiconductors Borgruppennitride (DE-588)4590273-2 gnd Nitride (DE-588)4171929-3 gnd Verbindungstechnik (DE-588)4129183-9 gnd Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Integration Mikroelektronik (DE-588)4218840-4 gnd
subject_GND	(DE-588)4590273-2 (DE-588)4171929-3 (DE-588)4129183-9 (DE-588)4192147-1 (DE-588)4150649-2 (DE-588)4113826-0 (DE-588)4218840-4
title	Gallium nitride electronics
title_auth	Gallium nitride electronics
title_exact_search	Gallium nitride electronics
title_full	Gallium nitride electronics Rüdiger Quay
title_fullStr	Gallium nitride electronics Rüdiger Quay
title_full_unstemmed	Gallium nitride electronics Rüdiger Quay
title_short	Gallium nitride electronics
title_sort	gallium nitride electronics
topic	Gallium nitride Semiconductors Borgruppennitride (DE-588)4590273-2 gnd Nitride (DE-588)4171929-3 gnd Verbindungstechnik (DE-588)4129183-9 gnd Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Integration Mikroelektronik (DE-588)4218840-4 gnd
topic_facet	Gallium nitride Semiconductors Borgruppennitride Nitride Verbindungstechnik Stoffeigenschaft Drei-Fünf-Halbleiter Halbleiterbauelement Integration Mikroelektronik
url	http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=3094889&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm http://www.gbv.de/dms/ilmenau/toc/54336044X.PDF http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=016171272&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
volume_link	(DE-604)BV000683335
work_keys_str_mv	AT quayrudiger galliumnitrideelectronics

Verfügbarkeit

Bestellen (Login erforderlich)

Inhaltsverzeichnis
Paper/Kapitel scannen lassen

Teilbibliothek Physik

Bestandsangaben von Teilbibliothek Physik
Signatur:	0202 ELT 300f 2010 A 3990 Lageplan
Exemplar 1	Ausleihbar Ausgeliehen – Rückgabe bis: 24.03.2025