Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen:
Gespeichert in:
Beteilige Person: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | Deutsch |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2007
|
Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2007,1 |
Schlagwörter: | |
Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006 |
Umfang: | 172 S. 87 schw.-w. Ill. 210 mm x 148 mm, 258 gr. |
ISBN: | 9783832261597 3832261591 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV022430230 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20080925 | ||
007 | t| | ||
008 | 070521s2007 gw a||| m||| 00||| ger d | ||
015 | |a 07,N22,1103 |2 dnb | ||
016 | 7 | |a 984080066 |2 DE-101 | |
020 | |a 9783832261597 |c Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 |9 978-3-8322-6159-7 | ||
020 | |a 3832261591 |c Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 |9 3-8322-6159-1 | ||
024 | 3 | |a 9783832261597 | |
035 | |a (OCoLC)255786526 | ||
035 | |a (DE-599)DNB984080066 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c XA-DE-NW | ||
049 | |a DE-29 |a DE-29T |a DE-91 | ||
082 | 0 | |a 621.3815284 |2 22/ger | |
084 | |a UP 7570 |0 (DE-625)146436: |2 rvk | ||
084 | |a 620 |2 sdnb | ||
100 | 1 | |a Jank, Michael |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |c Michael Jank |
264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 2007 | |
300 | |a 172 S. |b 87 schw.-w. Ill. |c 210 mm x 148 mm, 258 gr. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 1 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2007,1 | |
500 | |a Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006 | ||
650 | 4 | |a MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung | |
650 | 0 | 7 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Prozessoptimierung |0 (DE-588)4176074-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Maskentechnik |0 (DE-588)4125845-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
689 | 0 | 1 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Maskentechnik |0 (DE-588)4125845-9 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
689 | 0 | 5 | |a Prozessoptimierung |0 (DE-588)4176074-8 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
830 | 0 | |a Erlanger Berichte Mikroelektronik |v 2007,1 |w (DE-604)BV010300264 |9 2007,1 | |
943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430 |
Datensatz im Suchindex
DE-BY-TUM_call_number | 0001 2008 A 4825 |
---|---|
DE-BY-TUM_katkey | 1636237 |
DE-BY-TUM_location | Mag |
DE-BY-TUM_media_number | 040006779033 |
_version_ | 1821933239865966592 |
any_adam_object | |
author | Jank, Michael |
author_facet | Jank, Michael |
author_role | aut |
author_sort | Jank, Michael |
author_variant | m j mj |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV022430230 |
classification_rvk | UP 7570 |
ctrlnum | (OCoLC)255786526 (DE-599)DNB984080066 |
dewey-full | 621.3815284 |
dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
dewey-ones | 621 - Applied physics |
dewey-raw | 621.3815284 |
dewey-search | 621.3815284 |
dewey-sort | 3621.3815284 |
dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
discipline | Maschinenbau / Maschinenwesen Physik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02264nam a2200565 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV022430230</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20080925 </controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">070521s2007 gw a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">07,N22,1103</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">984080066</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783832261597</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60</subfield><subfield code="9">978-3-8322-6159-7</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3832261591</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 48.80, EUR 48.80 (AT), sfr 97.60</subfield><subfield code="9">3-8322-6159-1</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783832261597</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)255786526</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB984080066</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-NW</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3815284</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 7570</subfield><subfield code="0">(DE-625)146436:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Jank, Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen</subfield><subfield code="c">Michael Jank</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">2007</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">172 S.</subfield><subfield code="b">87 schw.-w. Ill.</subfield><subfield code="c">210 mm x 148 mm, 258 gr.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2007,1</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2006</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Prozessoptimierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176074-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Maskentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125845-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Maskentechnik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4125845-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Prozessoptimierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176074-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Erlanger Berichte Mikroelektronik</subfield><subfield code="v">2007,1</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV010300264</subfield><subfield code="9">2007,1</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV022430230 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-12-20T12:55:13Z |
institution | BVB |
isbn | 9783832261597 3832261591 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-015638430 |
oclc_num | 255786526 |
open_access_boolean | |
owner | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
owner_facet | DE-29 DE-29T DE-91 DE-BY-TUM |
physical | 172 S. 87 schw.-w. Ill. 210 mm x 148 mm, 258 gr. |
publishDate | 2007 |
publishDateSearch | 2007 |
publishDateSort | 2007 |
publisher | Shaker |
record_format | marc |
series | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
series2 | Erlanger Berichte Mikroelektronik |
spellingShingle | Jank, Michael Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Erlanger Berichte Mikroelektronik MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Maskentechnik (DE-588)4125845-9 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4158813-7 (DE-588)4176074-8 (DE-588)4010319-5 (DE-588)4125845-9 (DE-588)4027606-5 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4113937-9 |
title | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
title_auth | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
title_exact_search | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
title_full | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
title_fullStr | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
title_full_unstemmed | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen Michael Jank |
title_short | Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen |
title_sort | entwicklung und charakterisierung eines cmos prozesses mit minimierter anzahl an lithographieebenen |
topic | MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Prozessoptimierung (DE-588)4176074-8 gnd CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Maskentechnik (DE-588)4125845-9 gnd Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
topic_facet | MOS-FET - CMOS - Maskentechnik - Halbleitersubstrat - Ionenimplantation - Prozessoptimierung Halbleitersubstrat Prozessoptimierung CMOS Maskentechnik Ionenimplantation MOS-FET Hochschulschrift |
volume_link | (DE-604)BV010300264 |
work_keys_str_mv | AT jankmichael entwicklungundcharakterisierungeinescmosprozessesmitminimierteranzahlanlithographieebenen |
Paper/Kapitel scannen lassen
Bibliotheksmagazin
Signatur: |
0001 2008 A 4825 Lageplan |
---|---|
Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |