Verfügbarkeit: Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren

Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Bayer, Michael (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	2004
Schlagwörter:	Räumliche Verteilung Numerisches Verfahren Feldeffekttransistor Ionendichte Ladungsträger Elektrolyt Hochschulschrift
Beschreibung:	München, Techn. Univ., Dipl.-Arb., 2004
Umfang:	VIII, 93 S. graph. Darst.

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 c 4500
001	BV019758804
003	DE-604
005	20120411
007	t\|
008	050405s2004 xx d\|\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d
035			\|a (OCoLC)633467787
035			\|a (DE-599)BVBBV019758804
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakwb
041	0		\|a ger
049			\|a DE-91G
084			\|a ELT 979d \|2 stub
084			\|a ELT 321d \|2 stub
100	1		\|a Bayer, Michael \|e Verfasser \|4 aut
245	1	0	\|a Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren \|c von Michael Bayer
264		1	\|c 2004
300			\|a VIII, 93 S. \|b graph. Darst.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
500			\|a München, Techn. Univ., Dipl.-Arb., 2004
650	0	7	\|a Räumliche Verteilung \|0 (DE-588)4121550-3 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Numerisches Verfahren \|0 (DE-588)4128130-5 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Feldeffekttransistor \|0 (DE-588)4131472-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Ionendichte \|0 (DE-588)4162309-5 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Ladungsträger \|0 (DE-588)4166397-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Elektrolyt \|0 (DE-588)4151826-3 \|2 gnd \|9 rswk-swf
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
689	0	0	\|a Feldeffekttransistor \|0 (DE-588)4131472-4 \|D s
689	0	1	\|a Ladungsträger \|0 (DE-588)4166397-4 \|D s
689	0	2	\|a Räumliche Verteilung \|0 (DE-588)4121550-3 \|D s
689	0	3	\|a Ionendichte \|0 (DE-588)4162309-5 \|D s
689	0	4	\|a Elektrolyt \|0 (DE-588)4151826-3 \|D s
689	0	5	\|a Numerisches Verfahren \|0 (DE-588)4128130-5 \|D s
689	0		\|5 DE-604
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013085196

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_call_number	0219 PM 77
DE-BY-TUM_katkey	1501552
DE-BY-TUM_location	Mag
DE-BY-TUM_media_number	040005940254
_version_	1821933254116114433
any_adam_object
author	Bayer, Michael
author_facet	Bayer, Michael
author_role	aut
author_sort	Bayer, Michael
author_variant	m b mb
building	Verbundindex
bvnumber	BV019758804
classification_tum	ELT 979d ELT 321d
ctrlnum	(OCoLC)633467787 (DE-599)BVBBV019758804
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
format	Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01604nam a2200445 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV019758804</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20120411 </controlfield><controlfield tag="007">t\|</controlfield><controlfield tag="008">050405s2004 xx d\|\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)633467787</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV019758804</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91G</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 979d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Bayer, Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren</subfield><subfield code="c">von Michael Bayer</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2004</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VIII, 93 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Techn. Univ., Dipl.-Arb., 2004</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Räumliche Verteilung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4121550-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Numerisches Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128130-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionendichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4162309-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektrolyt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151826-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Räumliche Verteilung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4121550-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Ionendichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4162309-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Elektrolyt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151826-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Numerisches Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4128130-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013085196</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet	Hochschulschrift
id	DE-604.BV019758804
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-12-20T12:05:14Z
institution	BVB
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013085196
oclc_num	633467787
open_access_boolean
owner	DE-91G DE-BY-TUM
owner_facet	DE-91G DE-BY-TUM
physical	VIII, 93 S. graph. Darst.
publishDate	2004
publishDateSearch	2004
publishDateSort	2004
record_format	marc
spellingShingle	Bayer, Michael Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren Räumliche Verteilung (DE-588)4121550-3 gnd Numerisches Verfahren (DE-588)4128130-5 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Ionendichte (DE-588)4162309-5 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Elektrolyt (DE-588)4151826-3 gnd
subject_GND	(DE-588)4121550-3 (DE-588)4128130-5 (DE-588)4131472-4 (DE-588)4162309-5 (DE-588)4166397-4 (DE-588)4151826-3 (DE-588)4113937-9
title	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren
title_auth	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren
title_exact_search	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren
title_full	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren von Michael Bayer
title_fullStr	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren von Michael Bayer
title_full_unstemmed	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren von Michael Bayer
title_short	Simulation von Ionen-selektiven Feld-Effekt-Transistoren
title_sort	simulation von ionen selektiven feld effekt transistoren
topic	Räumliche Verteilung (DE-588)4121550-3 gnd Numerisches Verfahren (DE-588)4128130-5 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Ionendichte (DE-588)4162309-5 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Elektrolyt (DE-588)4151826-3 gnd
topic_facet	Räumliche Verteilung Numerisches Verfahren Feldeffekttransistor Ionendichte Ladungsträger Elektrolyt Hochschulschrift
work_keys_str_mv	AT bayermichael simulationvonionenselektivenfeldeffekttransistoren

Verfügbarkeit

Bestellen (Login erforderlich)

Paper/Kapitel scannen lassen

Bibliotheksmagazin

Bestandsangaben von Bibliotheksmagazin
Signatur:	0219 PM 77 Lageplan
Exemplar 1	Ausleihbar Am Standort