Injektions- und Rekombinationsmechanismen in GaAs-pn-Übergängen mit hochdotierter kompensierter p-Zone:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Zschauer, Karl-Heinz (VerfasserIn)
Format: Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: 1968
Schlagwörter:
Umfang:48, 12, 29 S.
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Signatur: 0001 DM 4213 Lageplan
Exemplar 1 Ausleihbar Am Standort