Grundlagen der CMOS-Technologie: mit 10 Tabellen und zahlreichen Beispielen
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart [u.a.]
Teubner
2002
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Beschreibung: | Literaturverz. S. 259 - 261 |
| Umfang: | XI, 268 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3519003503 |
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| adam_text | THOMAS GIEBEL GRUNDLAGEN DER CMOS-TECHNOLOGIE MIT 179 ABBILDUNGEN, 10
TABELLEN UND ZAHLREICHEN BEISPIELEN TEUBNER B.G.TEUBNER STUTTGART *
LEIPZIG * WIESBADEN INHALTSVERZEICHNIS 1 EINFUEHRUNG IN DIE
HALBLEITER-PHYSIK 1 1.1 BANDSTRUKTUREN 1 1.2 HALBLEITER UND ISOLATOREN 3
1.2.1 DAS LOECHERMODELL 7 1.3 SILIZIUM 7 1.3.1 REINES SILIZIUM 7 1.3.2
DOTIERTES SILIZIUM 9 1.4 DER GESTOERTE HALBLEITER 14 1.4.1 DRIFT UND
DIFFUSION 15 1.4.2 GENERATIONS- UND REKOMBINATIONSSTATISTIK 18 1.4.3
ZUSTANDSGIEICHUNGEN 19 1.5 WICHTIGE FORMELN 23 2 INHOMOGENE HALBLEITER
24 2.1 DER PN-UEBERGANG 24 2.2 PN-UEBERGANG MIT VORSPANNUNG 31 2.3
SPANNUNGS- UND STROMCHARAKTERISTIK DER DIODE 35 2.4 WICHTIGE FORMELN 42
3 DER MOS-KONDENSATOR 44 3.1 DIE SCHWELLENSPANNUNG 45 3.2 EINFACHE
THEORIE DES MOS-KONDENSATORS 47 3.3 ERGAENZUNGEN ZUR THEORIE DES
MOS-KONDENSATORS 51 3.3.1 AUSTRITTSARBEITSDIFFERENZ 51 3.3.2
OXIDLADUNGEN 54 3.3.3 OBERFLAECHENZUSTAENDE 55 3.3.4 DURCHFUEHRUNG UND
AUSWERTUNG VON C(U)-MESSUNGEN 57 3.4 WICHTIGE FORMELN 58 4
MOS-TRANSISTOR 59 4.1 DAS EINFACHSTE MOS-TRANSISTORMODELL 59 4.2 DER
PMOS-TRANSISTOR 68 4.3 ERGAENZUNGEN ZUM EINFACHEN MOS-MODELL 71
INHALTSVERZEICHNIS 4.3.1 DIE QUERFELDBEWEGLICHKEITSREDUKTION 71 4.3.2
DER SUBSTRATEFFEKT 72 4.3.3 DIE SCHWACHE INVERSION 72 4.3.4
DURCHBRUCHSEFFEKTE 74 4.3.5 LATCHUP 76 4.4 FEINSTRUKTUREFFEKTE 8C 4.4.1
KURZKANALEFFEKT 81 4.4.2 HOT-ELECTRON-EFFECT 82 4.5 SPEZIELLE
MOS-STRUKTUREN 84 4.5.1 DEPLETION-TRANSISTOREN 8^ 4.5.2 SPANNUNGSFESTE
MOS-TRANSISTOREN 81 4.5.3 PROGRAMMIERBARE MOS-TRANSISTOREN 81 4.5.4
CHARGE-COUPLED-DEVICE 9( 4.6 WICHTIGE FORMELN: 9S CMOS-TECHNOLOGIE 91
5.1 EINLEITUNG 9! 5.1.1 ISOLATION 9! 5.2 GRUNDLEGENDE FERTIGUNGSSCHRITTE
9F 5.2.1 FOTOLITHOGRAPHIE 9 5.2.2 IONENIMPLANTATION 10( 5.2.3 DIFFUSION
101 5.2.4 SCHICHTERZEUGUNG 11! 5.2.5 SCHICHTSTRUKTURIERUNG 12! 5.2.6
REINIGUNGSPROZESSE 12! 5.3 HALBLEITER-PROZESSE 131 5.3.1 EIN
HYPOTHETISCHER CMOS-PROZESS 13: 5.3.2 PROZESSERGAENZUNGEN 141 DER
INVERTER 15! 6.1 LAST- UND SCHALTELEMENTE, GRUNDFUNKTIONEN 15 6.1.1
INVERTER MIT OHMSCHER LAST 15: 6.1.2 INVERTER MIT ENHANCEMENT-LAST 151
6.1.3 INVERTER MIT DEPLETION-LAST 16! 6.1.4 DER CMOS-INVERTER 16 6.1.5
STOERFESTIGKEIT 16 6.1.6 VERGLEICH DER INVERTERTYPEN 16I 6.2 DYNAMISCHES
VERHALTEN VON MOS-INVERTERN 16! 6.2.1 ENTLADUNG (ABFALLZEIT) 171 6.2.2
AUFLADUNG UEBER EINE DEPLETION-LAST (ANSTIEGSZEIT) 17; 6.2.3 ANSTIEGSZEIT
DES CMOS-INVERTERS 17I VERSTAERKER, TREIBER UND GATTER 181 7.1 VERSTAERKER
18I 7.2 TREIBERSCHALTUNGEN 18 INHALTSVERZEICHNIS XI 7.3 LOGISCHE GATTER
184 7.4 KOMPLEX-GATTER 186 7.5 DYNAMISCHE GATTER 192 8 FLIP-FLOPS, RAM
UND ROM 196 8.1 FLIP-FLOPS 196 8.2 SPEICHER, RAM UND ROM 197 9 EIN- UND
AUSGANGSSCHALTUNGEN 202 9.1 AUSGANGSTREIBER 202 9.2 EINGANGSSCHALTUNGEN
204 10 ENTWURFSUNTERLAGEN 215 10.1 DESIGN-REGELN 215 10.2 ELEKTRISCHE
ENTWURFSUNTERLAGEN 220 10.3 TESTSTRUKTUREN 222 11 ENTWURFSWERKZEUGE 224
11.1 GRAFISCHE EDITOREN 224 11.2 SIMULATOREN 227 11.2.1
PROZESSSIMULATOREN 229 11.2.2 DEVICESIMULATION 232 11.2.3
SCHALTUNGS-SIMULATOREN (ANALOG) 234 11.2.4 DIGITAL-SIMULATOREN 240
11.2.5 HARDWARE BESCHREIBUNGSSPRACHEN 246 11.3 HILFSPROGRAMME 248 11.3.1
PLAZIERUNG UND VERDRAHTUNG 248 11.3.2 UEBERPRUEFUNGSPROGRAMME 249 12
ENTWURFSSYSTEMATIK 251 12.1 ENTWURFSSTRATEGIEN 252 12.1.1 DER
STANDARDZELLEN-ENTWURF 253 12.1.2 DER GATE-ARRAY-ENTWURF 253 LITERATUR
ZUR CMOS-TECHNOLOGIE 259 FORMELZEICHEN UND ABKUERZUNGEN 262 PHYSIKALISCHE
KONSTANTEN 264 INDEX 265
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