Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen:
Gespeichert in:
| Beteilige Person: | |
|---|---|
| Format: | Hochschulschrift/Dissertation Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Garching
Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München
2000
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
33 |
| Schlagwörter: | |
| Umfang: | III, 196 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3932749332 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV013520015 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20010119 | ||
| 007 | t| | ||
| 008 | 010108s2000 xx ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 020 | |a 3932749332 |9 3-932749-33-2 | ||
| 035 | |a (OCoLC)643335440 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV013520015 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-12 |a DE-634 | ||
| 084 | |a PHY 704d |2 stub | ||
| 084 | |a PHY 693d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Rother, Martin |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen |c Martin Rother |
| 250 | |a 1. Aufl. | ||
| 264 | 1 | |a Garching |b Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München |c 2000 | |
| 300 | |a III, 196 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Selected topics of semiconductor physics and technology |v 33 | |
| 502 | |a Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Nanostruktur |0 (DE-588)4204530-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Spaltfläche |0 (DE-588)4325717-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Elektronische Eigenschaft |0 (DE-588)4235053-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Nanostruktur |0 (DE-588)4204530-7 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Spaltfläche |0 (DE-588)4325717-3 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |D s |
| 689 | 0 | 6 | |a Elektronische Eigenschaft |0 (DE-588)4235053-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Selected topics of semiconductor physics and technology |v 33 |w (DE-604)BV011499438 |9 33 | |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009228368 | |
Datensatz im Suchindex
| DE-BY-TUM_call_number | 0001 DM 21193 |
|---|---|
| DE-BY-TUM_katkey | 1170696 |
| DE-BY-TUM_location | Mag |
| DE-BY-TUM_media_number | 040004914090 |
| _version_ | 1821937528563826689 |
| any_adam_object | |
| author | Rother, Martin |
| author_facet | Rother, Martin |
| author_role | aut |
| author_sort | Rother, Martin |
| author_variant | m r mr |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV013520015 |
| classification_tum | PHY 704d PHY 693d |
| ctrlnum | (OCoLC)643335440 (DE-599)BVBBV013520015 |
| discipline | Physik |
| edition | 1. Aufl. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02084nam a2200517 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV013520015</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20010119 </controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">010108s2000 xx ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3932749332</subfield><subfield code="9">3-932749-33-2</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)643335440</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV013520015</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 704d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PHY 693d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Rother, Martin</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen</subfield><subfield code="c">Martin Rother</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Garching</subfield><subfield code="b">Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München</subfield><subfield code="c">2000</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">III, 196 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Selected topics of semiconductor physics and technology</subfield><subfield code="v">33</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nanostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4204530-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Spaltfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4325717-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4235053-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Nanostruktur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4204530-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Spaltfläche</subfield><subfield code="0">(DE-588)4325717-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="6"><subfield code="a">Elektronische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4235053-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Selected topics of semiconductor physics and technology</subfield><subfield code="v">33</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV011499438</subfield><subfield code="9">33</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009228368</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV013520015 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-12-20T10:48:43Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3932749332 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009228368 |
| oclc_num | 643335440 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-634 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-634 |
| physical | III, 196 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 2000 |
| publishDateSearch | 2000 |
| publishDateSort | 2000 |
| publisher | Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München |
| record_format | marc |
| series | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| series2 | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| spellingShingle | Rother, Martin Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen Selected topics of semiconductor physics and technology Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd Nanostruktur (DE-588)4204530-7 gnd Spaltfläche (DE-588)4325717-3 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Elektronische Eigenschaft (DE-588)4235053-0 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4019155-2 (DE-588)4273432-0 (DE-588)4204530-7 (DE-588)4325717-3 (DE-588)4324566-3 (DE-588)4235053-0 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen |
| title_auth | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen |
| title_exact_search | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen |
| title_full | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen Martin Rother |
| title_fullStr | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen Martin Rother |
| title_full_unstemmed | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen Martin Rother |
| title_short | Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen |
| title_sort | elektronische eigenschaften von halbleiternanostrukturen hergestellt durch uberwachsen von spaltflachen |
| topic | Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd Nanostruktur (DE-588)4204530-7 gnd Spaltfläche (DE-588)4325717-3 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Elektronische Eigenschaft (DE-588)4235053-0 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd |
| topic_facet | Galliumarsenid Schichtwachstum Nanostruktur Spaltfläche Aluminiumarsenid Elektronische Eigenschaft Mischkristall Hochschulschrift |
| volume_link | (DE-604)BV011499438 |
| work_keys_str_mv | AT rothermartin elektronischeeigenschaftenvonhalbleiternanostrukturenhergestelltdurchuberwachsenvonspaltflachen |
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Bibliotheksmagazin
| Signatur: |
0001 DM 21193
Lageplan |
|---|---|
| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |