Verfügbarkeit: Modellierung und Optimierung von Höchstfrequenz-Si- und Si-Si 1-x Ge x -Bipolartransistoren

Modellierung und Optimierung von Höchstfrequenz-Si- und Si-Si 1-x Ge x -Bipolartransistoren:

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Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Pohl, Martin (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	1999
Schlagwörter:	Hochfrequenztransistor Heterostruktur Silicium Bipolartransistor Germanium Hochfrequenz Hochschulschrift
Umfang:	XVI, 138 S. Ill., zahlr. graph. Darst.

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