Verfügbarkeit: Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern

Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Kraus, Stefan (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 1999
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter:	Indiumarsenid Mischkristall HEMT Verbindungshalbleiter Feldeffekttransistor Aluminiumarsenid Galliumarsenid Hochschulschrift
Links:	http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008461782&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
Umfang:	IV, 164 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3826548787

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 c 4500
001	BV012468200
003	DE-604
005	19991202
007	t\|
008	990316s1999 gw ad\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d
016	7		\|a 955955165 \|2 DE-101
020			\|a 3826548787 \|c Pb. : DM 94.00, sfr 94.00, S 659.00 \|9 3-8265-4878-7
035			\|a (OCoLC)76020076
035			\|a (DE-599)BVBBV012468200
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakddb
041	0		\|a ger
044			\|a gw \|c DE
049			\|a DE-91 \|a DE-12 \|a DE-634
084			\|a ELT 321d \|2 stub
084			\|a ELT 290d \|2 stub
100	1		\|a Kraus, Stefan \|e Verfasser \|4 aut
245	1	0	\|a Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern \|c Stefan Kraus
250			\|a Als Ms. gedr.
264		1	\|a Aachen \|b Shaker \|c 1999
300			\|a IV, 164 S. \|b Ill., graph. Darst.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
490	0		\|a Berichte aus der Halbleitertechnik
502			\|a Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998
650	0	7	\|a Indiumarsenid \|0 (DE-588)4249718-8 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Mischkristall \|0 (DE-588)4170112-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a HEMT \|0 (DE-588)4211873-6 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Verbindungshalbleiter \|0 (DE-588)4062623-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Feldeffekttransistor \|0 (DE-588)4131472-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Aluminiumarsenid \|0 (DE-588)4324566-3 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Galliumarsenid \|0 (DE-588)4019155-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
689	0	0	\|a Indiumarsenid \|0 (DE-588)4249718-8 \|D s
689	0	1	\|a Galliumarsenid \|0 (DE-588)4019155-2 \|D s
689	0	2	\|a Aluminiumarsenid \|0 (DE-588)4324566-3 \|D s
689	0	3	\|a Mischkristall \|0 (DE-588)4170112-4 \|D s
689	0	4	\|a Verbindungshalbleiter \|0 (DE-588)4062623-4 \|D s
689	0	5	\|a Feldeffekttransistor \|0 (DE-588)4131472-4 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a HEMT \|0 (DE-588)4211873-6 \|D s
689	1		\|5 DE-604
856	4	2	\|m DNB Datenaustausch \|q application/pdf \|u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008461782&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA \|3 Inhaltsverzeichnis
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008461782

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_call_number	0001 DM 19499
DE-BY-TUM_katkey	1076616
DE-BY-TUM_location	Mag
DE-BY-TUM_media_number	040007436122
_version_	1821939181682688000
any_adam_object	1
author	Kraus, Stefan
author_facet	Kraus, Stefan
author_role	aut
author_sort	Kraus, Stefan
author_variant	s k sk
building	Verbundindex
bvnumber	BV012468200
classification_tum	ELT 321d ELT 290d
ctrlnum	(OCoLC)76020076 (DE-599)BVBBV012468200
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
edition	Als Ms. gedr.
format	Thesis Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02329nam a2200553 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV012468200</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19991202 </controlfield><controlfield tag="007">t\|</controlfield><controlfield tag="008">990316s1999 gw ad\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">955955165</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3826548787</subfield><subfield code="c">Pb. : DM 94.00, sfr 94.00, S 659.00</subfield><subfield code="9">3-8265-4878-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76020076</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012468200</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 290d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Kraus, Stefan</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern</subfield><subfield code="c">Stefan Kraus</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1999</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">IV, 164 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Halbleitertechnik</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Verbindungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4062623-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Verbindungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4062623-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008461782&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008461782</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet	Hochschulschrift
id	DE-604.BV012468200
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-12-20T10:30:49Z
institution	BVB
isbn	3826548787
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008461782
oclc_num	76020076
open_access_boolean
owner	DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-634
owner_facet	DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-634
physical	IV, 164 S. Ill., graph. Darst.
publishDate	1999
publishDateSearch	1999
publishDateSort	1999
publisher	Shaker
record_format	marc
series2	Berichte aus der Halbleitertechnik
spellingShingle	Kraus, Stefan Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd Verbindungshalbleiter (DE-588)4062623-4 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd
subject_GND	(DE-588)4249718-8 (DE-588)4170112-4 (DE-588)4211873-6 (DE-588)4062623-4 (DE-588)4131472-4 (DE-588)4324566-3 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4113937-9
title	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern
title_auth	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern
title_exact_search	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern
title_full	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern Stefan Kraus
title_fullStr	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern Stefan Kraus
title_full_unstemmed	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern Stefan Kraus
title_short	Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern
title_sort	herstellung und charakterisierung von modulationsdotierten feldeffekttransistoren auf der basis von gitterangepaßten und metamorphen ingaal as verbindungshalbleitern
topic	Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd Verbindungshalbleiter (DE-588)4062623-4 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd
topic_facet	Indiumarsenid Mischkristall HEMT Verbindungshalbleiter Feldeffekttransistor Aluminiumarsenid Galliumarsenid Hochschulschrift
url	http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008461782&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
work_keys_str_mv	AT krausstefan herstellungundcharakterisierungvonmodulationsdotiertenfeldeffekttransistorenaufderbasisvongitterangepaßtenundmetamorpheningaalasverbindungshalbleitern

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Signatur:	0001 DM 19499 Lageplan
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