Verfügbarkeit: Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie

Herstellung von Si-Si-1-x-Ge-X-Nanostrukturen mittels selektiver Niederdruck-Gasphasenepitaxie: Wachstum und Charakterisierung

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Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Schmidt, Georg (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 1996
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter:	Heterostruktur Germanium Gasphasenepitaxie Silicium Hochschulschrift
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Beschreibung:	Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996
Umfang:	IV, 138 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	382651971X

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