Dreidimensionale Mikrostrukturierung von GaAs durch Ionenimplantation für Sensoranwendungen:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
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| Beschreibung: | Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1996 |
| Umfang: | VI, 129 S. Ill., graph. Darst. |
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| adam_text | Titel: Dreidimensionale Mikrostrukturierung von GaAs durch Ionenimplantation für Sensoranwendungen
Autor: Miao, Jianmin
Jahr: 1996
SCHRITT-M BERICHTE Dipl.-Ing. Jianmin Miao, Darmstadt Dreidimensionale Mikrostrukturierung von GaAs durch Ionenimplantation für Sensoranwendungen Reihe 9 : Elektronik Nr. 932 VW VERLAG
Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 1 2 GaAs-Membransensoren und tiefe Ionenimplantation 4 2.1 Grundelemente der mikromechanischen Sensoren............... 4 2.2 Effekte der tiefen Ionenimplantation in GaAs................. 6 3 Realisierung von Mikrostrukturen durch selektives Ätzen vergrabener GaAsN-Schichten 10 3.1 Prozeßoptimierung von PECVD-Si 3 N 4 als Abdeckschicht für die Temperung 11 3.2 Charakterisierung der durch tiefe N + -Implaatation in GaAs erzeugten vergrabenen GaAsN-Schichten........................... 14 3.2.1 ESC A-Messungen............................ 15 3.2.2 Untersuchungen der Ätzselektivität des naßchemischen Ätzens ... 21 3.3 Schädigungsuntersuchungen.......................... 23 3.3.1 I/V-Charakterisierung......................... 23 3.3.2 DLTS-Messungen............................ 26 3.4 Prozeßtechnik für GaAs-Zungenstrukturen..................30 3.4.1 Metallmasken mit hohen Aspektverhältnissen für lokale tiefe Ionenimplantation .................... 31 3.4.2 GaAs-Zungenstrukturen........................ 33 4 Eine Ein-Chip-Lösung für kapazitive Drucksensoren 38 4.1 Untersuchungen des ätzselektiven Verhaltens von ionenbeschossenem GaAs 41 4.1.1 Ätzverhalten von N + -implantiertem GaAs..............42 IV
4.1.2 Ätzverhalten von Ar + -implantiertem GaAs..............45 4.2 Schädigungsuntersuchungen an ionenbeschossenem GaAs..........46 4.2.1 RBS-Meßergebnisse...........................48 4.2.2 DLTS-Meßergebnisse..........................49 4.3 Realisierung der kapazitiven Drucksensoren.................. 53 4.3.1 Herstellung und Charakterisierung von GaAs/AlGaAs-Membranen . 54 4.3.2 Realisierung der Gegenelektrode auf spannungsarmem PECVD-SisN.) 58 4.3.3 Berechnungen der kapazitiven Drucksensoren............. 61 4.3.4 Herstellungsprozeß........................... 64 4.3.5 Meßergebnisse.............................. 70 5 Technologie der einkristallinen semiisolierenden GaAs-Membran- strukturen 72 5.1 Erzeugung semiisolierender GaAs-Schichten auf n-GaAs-Substraten durch N + -Implantation ................................ 74 5.1.1 Messungen des spezifischen Widerstands............... 76 5.1.2 I/V-Charakterisierung......................... 81 5.2 Schädigungsuntersuchungen an semiisolierenden GaAs-Schichten...... 85 5.2.1 RBS-Meßergebnisse........................... 86 5.2.2 DLTS-Meßergebnisse.......................... 87 5.3 Herstellung der semiisolierenden GaAs-Membranen mittels puls/-anodischem selektiven Ätzen.................................... 91 5.3.1 Zungenstrukturen............ 92 V
5.3.2 Kreuzbrückenstrukturen 95 5.3.3 Spiralstrukturen............................. 97 5.3.4 Wellenförmige Membranen....................... 99 6 Zusammenfassung und Ausblick 103 Anhang A - Verwendete Ätzlösungen und Elektrolyte 107 Anhang B - Herstellungsschritte für die Implantationsmasken mit hohen Aspektverhältnissen 109 Anhang C - Liste der wichtigsten Formelzeichen 111 Anhang D - Liste der eigenen Veröffentlichungen 114 Literaturverzeichnis 117 VI
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