Ladungsorientierte Rosenbrock-Wanner-Methoden zur numerischen Simulation digitaler Schaltungen:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 20]
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| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1995 |
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| adam_text | Titel: Ladungsorientierte Rosenbrock-Wanner-Methoden zur numerischen Simulation digitaler Schaltungen
Autor: Günther, Michael
Jahr: 1995
Inhaltsverzeichnis V Inhaltsverzeichnis Einleitung 1 1 Mathematische Modellbildung elektrischer Schaltungen 4 1.1 Grundlagen der mathematischen Modellierung................ 4 1.2 Der ladungsorientierte Ansatz für MOS-Transistoren ............ 7 1.3 Die mathematische Struktur der Netzwerkgleichungen............ 15 2 Der DAE-Index der Netzwerkgleichungen 23 2.1 Der Index linear-impliziter linearer Systeme................. 24 2.2 Der Index quasilinear-impliziter Systeme................... 26 2.3 Der Index der klassischen Netzwerkgleichungen................ 29 2.4 Der Index der ladungsorientierten Netzwerkgleichungen........... 32 2.5 Modellbildung und DAE-Index ........................ 38 3 Klassische Integration der Netzwerkgleichungen 40 3.1 Der klassische direkte Ansatz .........................40 3.2 Anforderungen an ein numerisches Integrationsverfahren .......... 42 3.3 Rosenbrock-Wanner-Verfahren für explizite Systeme............. 43 3.4 Multirate Rosenbrock-Wanner-Verfahren................... 46 3.5 Rosenbrock-Wanner-Verfahren für die klassischen Netzwerkgleichungen . . 49 4 Ladungsorientierte Rosenbrock-Wanner-Verfahren 54 4.1 Herleitung der Verfahren............................ 54 4.2 Konvergenzanalyse............................... 58 4.3 Aufstellen der Bedingungsgleichungen..................... 63 4.4 Entwicklung ladungsorientierter Algorithmen................. 69 4.5 CHORAL: Ein zu TITAN kompatibles ROW-Verfahren........... 76
VI Inhaltsverzeichnis 5 Numerische Simulation von MOS-Schaltungen 81 5.1 Logische Grundschaltungen .......................... 81 5.2 Der Zwei-Bit-Volladdierer ............................. 89 5.3 Die MOS-Ladungspumpe............................ 96 Zusammenfassung 100 A Modellierung von MOS-Transistoren 101 A.l Modelle für den Drainstrom..........................101 A. 2 Erweiterte Modelle...............................102 B Mathematische Beweise und Herleitungen 109 B. l Zur Konvergenzanalyse für den klassischen Ansatz..............109 B.2 Zur Herleitung der Bedingungsgleichungen..................113 B.3 Zur Sensitivitätsanalyse für den klassischen Ansatz.............118 C FORTRAN77-Programme 122 Literaturverzeichnis 125
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