Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium:
Gespeichert in:
Beteilige Person: | |
---|---|
Format: | Microform Buch |
Sprache: | Deutsch |
Veröffentlicht: |
1987
|
Schlagwörter: | |
Beschreibung: | Zürich, Techn. Hochsch., Diss. - Mikroreprod. e. Ms. 115 Bl. : Ill., graph. Darst. |
Umfang: | 2 Mikrofiches 24x |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV007463010 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 20020422 | ||
007 | he|uuuuuuuuuu | ||
008 | 930517s1987 xx |||| bm||| 00||| ger d | ||
035 | |a (OCoLC)256551446 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV007463010 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
041 | 0 | |a ger | |
049 | |a DE-91 |a DE-384 |a DE-11 | ||
084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
100 | 1 | |a Schmid, Jürg |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium |c vorgelegt von Jürg Schmid |
264 | 1 | |c 1987 | |
300 | |a 2 Mikrofiches |b 24x | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b h |2 rdamedia | ||
338 | |b he |2 rdacarrier | ||
500 | |a Zürich, Techn. Hochsch., Diss. - Mikroreprod. e. Ms. 115 Bl. : Ill., graph. Darst. | ||
650 | 0 | 7 | |a Polykristall |0 (DE-588)4188261-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Dünnschichttransistor |0 (DE-588)4150834-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Mikroform |0 (DE-588)4039216-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Dünnschichttransistor |0 (DE-588)4150834-8 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Polykristall |0 (DE-588)4188261-1 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Mikroform |0 (DE-588)4039216-8 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004844082 |
Datensatz im Suchindex
DE-BY-TUM_call_number | 0001 MD 6962 |
---|---|
DE-BY-TUM_katkey | 589388 |
DE-BY-TUM_location | Mag |
DE-BY-TUM_media_number | 040004883025 |
_version_ | 1821938607285338112 |
any_adam_object | |
author | Schmid, Jürg |
author_facet | Schmid, Jürg |
author_role | aut |
author_sort | Schmid, Jürg |
author_variant | j s js |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV007463010 |
classification_tum | ELT 321d |
ctrlnum | (OCoLC)256551446 (DE-599)BVBBV007463010 |
discipline | Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
format | Microfilm Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01511nam a2200409 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV007463010</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20020422 </controlfield><controlfield tag="007">he|uuuuuuuuuu</controlfield><controlfield tag="008">930517s1987 xx |||| bm||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)256551446</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007463010</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-384</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schmid, Jürg</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Jürg Schmid</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1987</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">2 Mikrofiches</subfield><subfield code="b">24x</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">h</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">he</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zürich, Techn. Hochsch., Diss. - Mikroreprod. e. Ms. 115 Bl. : Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Polykristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4188261-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünnschichttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150834-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mikroform</subfield><subfield code="0">(DE-588)4039216-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Dünnschichttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150834-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Polykristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4188261-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Mikroform</subfield><subfield code="0">(DE-588)4039216-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004844082</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV007463010 |
illustrated | Not Illustrated |
indexdate | 2024-12-20T09:05:05Z |
institution | BVB |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004844082 |
oclc_num | 256551446 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-384 DE-11 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-384 DE-11 |
physical | 2 Mikrofiches 24x |
publishDate | 1987 |
publishDateSearch | 1987 |
publishDateSort | 1987 |
record_format | marc |
spellingShingle | Schmid, Jürg Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 gnd Mikroform (DE-588)4039216-8 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4188261-1 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4150834-8 (DE-588)4039216-8 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4113937-9 |
title | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium |
title_auth | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium |
title_exact_search | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium |
title_full | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium vorgelegt von Jürg Schmid |
title_fullStr | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium vorgelegt von Jürg Schmid |
title_full_unstemmed | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium vorgelegt von Jürg Schmid |
title_short | Grundlagen zur Herstellung komplementärer Dünnfilmtransistoren auf polykristallinem Silizium |
title_sort | grundlagen zur herstellung komplementarer dunnfilmtransistoren auf polykristallinem silizium |
topic | Polykristall (DE-588)4188261-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 gnd Mikroform (DE-588)4039216-8 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd |
topic_facet | Polykristall Silicium Dünnschichttransistor Mikroform MOS-FET Hochschulschrift |
work_keys_str_mv | AT schmidjurg grundlagenzurherstellungkomplementarerdunnfilmtransistorenaufpolykristallinemsilizium |
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Bibliotheksmagazin
Signatur: |
0001 MD 6962 Lageplan |
---|---|
Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |