Injektions-und Rekombinationsmechanismen in GaAs-pn-Übergängen: Mit hochdotierter kompensierter p-Zone
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Zschauer, Karl-Heinz (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: München 1968
Schlagwörter:
Beschreibung:Naturwiss.Diss.München 1968
Umfang:124 S.,40 Abb.