Verfügbarkeit: Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung

Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide u. heiße Elektronen

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Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Schmitt-Landsiedel, Doris 1952-2023 (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	München 1984
Schlagwörter:	MOS-Schaltung Miniaturisierung Hochschulschrift
Beschreibung:	München, Techn. Univ., Diss.
Umfang:	179 S. graph. Darst.

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