Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide u. heiße Elektronen
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person: Schmitt-Landsiedel, Doris 1952-2023 (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: 1984
Schlagwörter:
Beschreibung:München, Techn. Univ., Diss.
Umfang:179 S. graph. Darst.