Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Weitere beteiligte Personen: Nirmal, D. (HerausgeberIn), Ajayan, J. (HerausgeberIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Singapore Springer Nature Singapore 2025
Singapore Springer
Ausgabe:1st ed. 2025
Schriftenreihe:Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering
Schlagwörter:
Links:https://doi.org/10.1007/978-981-97-7506-4
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https://doi.org/10.1007/978-981-97-7506-4
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https://doi.org/10.1007/978-981-97-7506-4
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Umfang:1 Online-Ressource (XII, 261 p. 106 illus., 28 illus. in color)
ISBN:9789819775064
ISSN:2731-4219
DOI:10.1007/978-981-97-7506-4