Verfügbarkeit: Untersuchungen zu Inhomogenitäten an der Halbleitergrenzfläche Silizium-Siliziumoxynitrid

Untersuchungen zu Inhomogenitäten an der Halbleitergrenzfläche Silizium-Siliziumoxynitrid:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Hoffmann, Patrick 1973- (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2003
Ausgabe:	1. Aufl.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Physik
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