Darstellung, Charakterisierung und Oberflächenmodifizierung von Siliziumnanopartikeln in SiO 2:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Osnabrück
<<Der>> Andere Verl.
2001
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| Beschreibung: | Zugl.: Halle, Univ., Diss., 2001 |
| Umfang: | 132 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
9
1.
EINLEITUNG
13
2.
DAS
SILIZIUM-SAUERSTOFF-SYSTEM
15
2.1.
SILIZIUMMONOXID
(SIO)
.
15
2.2.
DAS
SYSTEM
DER
SILIZIUM-SUBOXIDE
.
16
2.2.1.
MIXTURE-MODELL
.
18
2.2.2.
RANDOM-BOND-MODELL
.
18
2.3.
UNTERSUCHUNGEN
AN
FESTEM
SIO
.
20
2.3.1.
ELEKTRONENMIKROSKOPIE
.
21
2.3.2.
ROENTGENBEUGUNG
.
22
2.3.3.
HOCHTEMPERATUR
DIFFERENTIALKALORIEMETRIE
.
22
2.4.
VERDAMPFUNG
VON
SIO
.
23
2.4.1.
ANLAGE
ZUR
VERDAMPFUNG
VON
SIO
.
24
2.4.2.
AUFDAMPFGEOMETRIE
.
26
2.4.3. EINSTELLEN
DES
SAUERSTOFFPARTIALDRUCKS
.
28
2.4.4.
CHARAKTERISTIK
DER
VERDAMPFUNG
VON
SIO
.
29
2.4.5.
EINBAU
VON
SAUERSTOFF
.
31
2.5.
HERSTELLUNG
UND
BEZEICHNUNG
DER
VERSCHIEDENEN
PROBENSERIEN
.
32
3.
UNTERSUCHUNGEN
AN
DUENNEN
SIO
X
-SCHICHTEN
33
3.1.
RUTHERFORD-RUECKSTREUUNG
.
33
3.1.1.
GRUNDLAGEN
DER
RUTHERFORD-RUECKSTREUUNG
(RBS)
.
33
3.1.2.
BESTIMMUNG
DER
STOECHIOMETRIE
VON
SIO
X
MIT
RBS
.
35
3.1.3.
RBS-MESSUNGEN
AN
AUFGEDAMPFTEN
SIO
X
-SCHICHTEN
.
35
3.2.
INFRAROTSCHWINGUNGSSPEKTROSKOPIE
.
38
3.2.1.
SCHWINGUNGSSPEKTROSKOPIE
.
38
3.2.2.
FOURIER-TRANSFORMATIONS-INFRAROTSPEKTROSKOPIE
(FTIR)
.
38
3.2.3.
ANWENDUNG
DER
FTIR
AUF
DIE
UNTERSUCHUNG
VON
SILIZIUMSUBOXIDEN
.
41
3.2.4.
INFRAROTOPTISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
AUFGEDAMPFTEN
SIO
X
-SCHICHTEN
.
.
41
3.2.5.
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
STABILITAET
VON
SIO
X
-SCHICHTEN
.
45
3.2.6.
EINFLUSS
DER
TEMPERATURBEHANDLUNG
.
47
INHALTSVERZEICHNIS
3.2.7.
DISPROPORTIONIERUNGS-MODELL
FUER
SIO-BANDE
DER
INFRAROTABSORPTION
.
49
3.2.8.
DISPROPORTIONIERUNG
VON
SIO
X
.
54
4.
BILDUNG
VON
SILIZIUM
NANOKRISTALLITEN
IN
EINER
SIOJ-MATRIX
57
4.1.
HOCHAUFLOESENDE
TRANSMISSIONS-ELEKTRONENMIKROSKOPIE
.
57
4.1.1.
PROBENPRAEPARATION
.
58
4.1.2.
IDENTIFIKATION
VON
SI-NANOKRISTALLITEN
.
59
4.1.3. BESTIMMUNG
DER
GROESSENVERTEILUNG
.
62
4.2.
WEITWINKEL
ROENTGENSTREUUNG
(WAXS)
.
69
4.3. MODELLVORSTELLUNGEN
FUER
DAS
WACHSTUM
DER
NANOKRISTALLITE
.
71
5.
LUMINESZENZMESSUNGEN
AN
SILIZIUM
NANOKRISTALLITEN
75
5.1.
GRUNDLAGEN
.
76
5.1.1.
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
DES
'
QUANTUM-CONFINEMENT
'
-EFFEKTES
.
76
5.1.2.
LUMINESZENZMECHANISMEN
IN
SILIZIUM
UND
SIOJ
.
79
5.1.3.
MESSAUFBAU
ZUR
PHOTOLUMINESZENZMESSUNG
.
81
5.2.
PHOTOLUMINESZENZ
(PL)
.
82
5.2.1.
SPEKTRALE
PL
AN
SI-NANOKRISTALLITEN
.
82
5.2.2.
PL
UNTER
RESONANTER
ANREGUNG
.
88
5.2.3.
EINFLUSSFAKTOREN
AUF
DIE
INTENSITAET
DER
PL
.
90
5.2.4.
ZEITABHAENGIGE
PL
AN
SI-NANOKRISTALLITEN
.
91
5.2.5.
VERGLEICH
MIT
ANDEREN
HERSTELLUNGSMETHODEN
.
93
6.
HERSTELLUNG
VERGRABENER
SIO
X
-SCHICHTEN
MIT
WAFERBONDEN
95
6.1.
DER
WAFERBONDPROZESS
.
96
6.2.
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
BONDBARKEIT
VON
SIO
X
-SCHICHTEN
.
98
6.2.1.
BESTIMMUNG
DER
MIKRORAUHIGKEIT
MIT
DEM
RASTERKRAFTMIKROSKOP
(AFM)
100
6.2.2.
BESTIMMUNG
DER
SCHICHTSPANNUNG
MIT
LASERABTASTUNG
.
102
6.3.
VERGRABENE
SIO
X
-SCHICHTEN
.
107
6.3.1.
PHOTOLUMINESZENZ
EINER
VERGRABENEN
SCHICHT
.
108
7.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
109
A.
ANHANG
113
A.L.
KLINGENTEST
.
113
A.2.
UMRECHNUNGSTABELLEN
.
114
A.2.1.
DRUCK
.
114
A.2.2.
FREQUENZ
-
WELLENLAENGE
-
PHOTONENENERGIE
.
114
LITERATURVERZEICHNIS
117
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