Verfügbarkeit: MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich

MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich:

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Bibliographische Detailangaben
Beteilige Person:	Horstmann, John Thomas (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Buch
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1999
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 300
Schlagwörter:	MOS Halbleitertechnologie Nanometerbereich Hochschulschrift
Umfang:	X, 109 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3183300095

Internformat

MARC


LEADER	00000nam a2200000 cb4500
001	BV012606540
003	DE-604
005	19990719
007	t\|
008	990615s1999 xx ad\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d
020			\|a 3183300095 \|9 3-18-330009-5
035			\|a (OCoLC)45263436
035			\|a (DE-599)BVBBV012606540
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakddb
041	0		\|a ger
049			\|a DE-91 \|a DE-210 \|a DE-634 \|a DE-83
084			\|a ZN 4960 \|0 (DE-625)157426: \|2 rvk
084			\|a ELT 270d \|2 stub
100	1		\|a Horstmann, John Thomas \|e Verfasser \|4 aut
245	1	0	\|a MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich \|c John Thomas Horstmann
250			\|a Als Ms. gedr.
264		1	\|a Düsseldorf \|b VDI-Verl. \|c 1999
300			\|a X, 109 S. \|b Ill., graph. Darst.
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
490	1		\|a Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] \|v 300
502			\|a Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1999
650	0	7	\|a MOS \|0 (DE-588)4130209-6 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleitertechnologie \|0 (DE-588)4158814-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Nanometerbereich \|0 (DE-588)4327473-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
689	0	0	\|a Halbleitertechnologie \|0 (DE-588)4158814-9 \|D s
689	0	1	\|a MOS \|0 (DE-588)4130209-6 \|D s
689	0	2	\|a Nanometerbereich \|0 (DE-588)4327473-0 \|D s
689	0		\|5 DE-604
810	2		\|a 9] \|t Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI \|v 300 \|w (DE-604)BV047505631 \|9 300
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008561974

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_call_number	0024 65 B 276-9,300
DE-BY-TUM_katkey	1066798
DE-BY-TUM_location	Mag
DE-BY-TUM_media_number	040003290628
_version_	1821939036354248704
any_adam_object
author	Horstmann, John Thomas
author_facet	Horstmann, John Thomas
author_role	aut
author_sort	Horstmann, John Thomas
author_variant	j t h jt jth
building	Verbundindex
bvnumber	BV012606540
classification_rvk	ZN 4960
classification_tum	ELT 270d
ctrlnum	(OCoLC)45263436 (DE-599)BVBBV012606540
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
edition	Als Ms. gedr.
format	Thesis Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01532nam a2200421 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV012606540</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19990719 </controlfield><controlfield tag="007">t\|</controlfield><controlfield tag="008">990615s1999 xx ad\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3183300095</subfield><subfield code="9">3-18-330009-5</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)45263436</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV012606540</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4960</subfield><subfield code="0">(DE-625)157426:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Horstmann, John Thomas</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich</subfield><subfield code="c">John Thomas Horstmann</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1999</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">X, 109 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]</subfield><subfield code="v">300</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1999</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Nanometerbereich</subfield><subfield code="0">(DE-588)4327473-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Nanometerbereich</subfield><subfield code="0">(DE-588)4327473-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">9]</subfield><subfield code="t">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">300</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">300</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008561974</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet	Hochschulschrift
id	DE-604.BV012606540
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-12-20T10:33:10Z
institution	BVB
isbn	3183300095
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-008561974
oclc_num	45263436
open_access_boolean
owner	DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-634 DE-83
owner_facet	DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-634 DE-83
physical	X, 109 S. Ill., graph. Darst.
publishDate	1999
publishDateSearch	1999
publishDateSort	1999
publisher	VDI-Verl.
record_format	marc
series2	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
spellingShingle	Horstmann, John Thomas MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich MOS (DE-588)4130209-6 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Nanometerbereich (DE-588)4327473-0 gnd
subject_GND	(DE-588)4130209-6 (DE-588)4158814-9 (DE-588)4327473-0 (DE-588)4113937-9
title	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich
title_auth	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich
title_exact_search	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich
title_full	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich John Thomas Horstmann
title_fullStr	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich John Thomas Horstmann
title_full_unstemmed	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich John Thomas Horstmann
title_short	MOS-Technologie im Sub-100 nm-Bereich
title_sort	mos technologie im sub 100 nm bereich
topic	MOS (DE-588)4130209-6 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Nanometerbereich (DE-588)4327473-0 gnd
topic_facet	MOS Halbleitertechnologie Nanometerbereich Hochschulschrift
volume_link	(DE-604)BV047505631
work_keys_str_mv	AT horstmannjohnthomas mostechnologieimsub100nmbereich

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