Ein physikalisch begründetes SOI-Transistormodell für die Schaltungssimulation:
Gespeichert in:
| Beteilige Person: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1997
|
| Ausgabe: | Als Ms gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
243 |
| Schlagwörter: | |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1996 |
| Umfang: | X, 197 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3183243091 |
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Paper/Kapitel scannen lassen
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| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |
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