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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Berlin [u.a.]
Springer
1995
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| Ausgabe: | 7., durchges. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Halbleiter-Elektronik
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| adam_text | Inhaltsverzeichnis
Bezeichnungen und Symbole..................... 11
Einleitung ............................ 17
1 Bindungsmodell der Halbleiter................... 20
1.1 Gitterstruktur der Halbleiter.................. 20
1.2 Eigenleitung......................... 24
1.3 Störstellenleitung....................... 28
Übungen............................ 30
2 Elektrische Eigenschaften der Halbleiter.............. 31
2.1 Konvektionsstromdichte.................... 31
2.2 Driftstrom im homogenen Halbleiter.............. 31
2.3 Ladungsträgerdichte im thermodynamischen Gleichgewicht
(homogene Halbleiter) .................... 32
2.4 Beweglichkeit........................ 36
2.5 Leitfähigkeit......................... 44
2.6 Diffusionsstrom........................ 45
2.7 Hall-Effekt......................... 47
Übungen............................ 50
3 Bändennodell der Halbleiter.................... 54
3.1 Valenzband und Leitungsband................. 54
3.2 Donator- und Akzeptor-Tenne................. 58
3.3
3.4 Kronig-Penney-Modell..................... 63
3.4.1 Bänderstruktur; unendlich langer Kristall ......... 65
3.4.2 Zustandadichte; endlich langer Kristall........... 67
3.4.3 Bewegung von Elektronen im periodischen Potential..... 68
3.4.4 Effektive Masse..................... 69
3.4.5 Stromtransport in einem nahezu vollständig gefüllten Band . . 70
3.4.6 Löcherkonzept..................... 72
3.4.7 Bänderstruktur für
3.5 Zustandadichte........................ 4
3.6 Äquivalente
3.7 Bestimmung
3.8 Entartete Halbleiter..................... 84
Übungen............................ 85
4 Störung des thermodynamischen Gleichgewichtes im homogenen Halbleiter
und Belaxation.......................... 90
4.1 Majoritätsträgerinjektion................... 91
4.2 Injektion von Minoritäts- und Majoritätsträgern......... 92
4.3 Injektion von Minoritätsträgern................ 95
4.4 Rekombinationsmechanismen ................. 96
4.5 Quasi-Fermi-Niveaus (nicht entartete Halbleiter)......... 99
Übungen.......................... 100
5 Inhomogene Halbleiter im thermodynamischen Gleichgewicht..... 103
5.1 Ladungsträgerdichte in Abhängigkeit vom elektrischen Potential . . 103
5.2 Ladungsträgerdichten im inhomogenen Halbleiter
bei Nicht-Gleichgewicht.................... 107
5.3 Diffusionsspannung...................... 107
5.4 Debye-Länge......................... 108
Übungi
;en
112
6 Ladungsträgertransport...................... 113
6.1 Konvektionsströme...................... 113
6.2 Kontimütätsgleichungen ................... 114
6.3 Gleichungssystem für Störstellenhalbleiter bei fehlendem Magnetfeld 115
6.4 Vereinfachtes Gleichungssystem für Störstellenhalbleiter genügend
hoher Leitfähigkeit bei schwacher Injektion........... 117
6.6 Minoritätsträgerdiffusion................... 119
6.6 Ausgleichsvorgang nach einer zeitlich und örtlich begrenzten
Minoritätsträgerinjektion.................... 124
6.7 Haynes-Shockley-Experiment.................. 125
Übungen............................ 127
7 Der pn-Übergang........................ 129
7.1 Der
7.2 Anlegen einer Vorspannung.................. 131
7.3 Berechnung der Baumladungszone............... 133
7.4 Trägerkonzentration am Rande der Raumladungszone....... 137
7.5 Gleichstromkennlinie der pn-Diode nach dem Diffusionsmodell . . 138
7.6 Temperaturabhängigkeit der Gleichstromkennlinie nach dem Diffu¬
sionsmodell ......................... 142
7.7 Kleinsignalleitwert und Diffusionskapazität........... 143
7.8 Abweichungen von der Diodenkennlinie nach dem Diffusionsmodell 149
7.9 Durchbruch der pn-Schicht bei hohen Sperrspannungen...... 151
7.9.1 Thermischer Durchbruch................. 151
7.9.2 Zener-Bffekt...................... 152
7.9.3 Lawineneffekt...................... 153
Übungen............................ 158
8 Anhang ............................ 166
8.1 Teilchen und Wellen..................... 166
8.2 Energiezustände eines Atoms.................. 174
8.3 Verteilungsfunktionen..................... 177
8.4 Quellenfreiheit des Gesamtstromes, Kontinuitätsgleiehung und
Poisson-Gleichung...................... 183
8.5 Dielektrische Relaxation.................... 184
8.6 Shockley-Read-Hall-Modell.................. 184
Tabelle 1. Daten der Halbleiter
Tabelle 2. Zeitkonstanten und charakteristische Längen für die Rückkehr ins
thermodynamische Gleichgewicht.............. 192
Tabelle 3. Formeln für den ^»-Übergang................ 193
Tabelle 4. Daten von SiO2...................... 193
Literaturverzeichnis......................... 194
Sachverzeichnis........................... 199
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Teilbibliothek Stammgelände, Lehrbuchsammlung
Teilbibliothek Stammgelände
| Signatur: | 0004 ELT 230f 79 A 3329-1(7) |
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| Exemplar 1 | Nicht ausleihbar Am Standort |
Teilbibliothek Physik
| Signatur: | 0202 PHY 685 2002 A 3790(7) |
|---|---|
| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |
Teilbibliothek Maschinenwesen
| Signatur: | 0702 ELT 230f 98 A 70522 |
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| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |