ESD-Schutzkonzepte mit Feldemissionsschaltern für Mikrowellenbauelemente und deren integrierte Schaltungen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1994
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
185 |
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| Beschreibung: | Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss. |
| Umfang: | XIII, 147 S. Ill., graph. Darst. |
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S
VERZEICHNIS
LISTE
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
IX
PERSOENLICHE
VEROEFFENTLICHUNGEN
XI
1
EINLEITUNG
1
2
ZUVERLAESSIGKEIT
VON
GAAS
BAUELEMENTEN
6
2.1
ELEKTROSTATISCHE
ENTLADUNGEN
..........................
10
2.1.1
DIE
ESD-TESTUMGEBUNG.........................
10
2.1.2
ESD-TESTANORDNUNG
...........................
11
2.2
BEITRAEGE
ZUR
TECHNOLOGISCHEN
BAUELEMENTE-HAERTUNG..............
13
2.2.1
DUENNEN
VON
GAAS-SUBSTRATEN......................
16
2.2.2
AETZVERFAHREN
FUER
WAFER-DURCHKONTAKTIERUNGEN.............
20
2.2.3
ANALYSE
DURCH
RUECKSEITEN-AETZUNG....................
22
2.2.4
ATZEN
DER
FELDEMISSIONSKANTEN
UND
NANOMETER-MIKROSTRUKTURIERUNG
VON
GAAS.................................
24
2.3
VERBESSERUNGEN
DES
BAUELEMENTE-ENTWURFES
..................
26
2.3.1
TESTSTRUKTUREN
..............................
26
2.3.2
OPTIMIERTER
MESFET...........................
31
3
ESD-SCHAEDIGUNGSGRENZEN
VON
GAAS
MIKROWELLENBAUELEMENTEN
34
3.1
ESD-TESTS
AN
OHMSCHEN
FET
KONTAKTEN....................
35
3.1.1
EXPERIMENTELLES
VORGEHEN........................
35
3.1.2
FEHLERANALYSE......
36
3.2
ESD-TESTS
AN
GAAS-HOCHFREQUENZBAUELEMENTEN................
40
3.2.1
ESD-TESTS
AN
GAAS-SCHOTTKY-DIODEN..................
41
3.2.2
ESD-TESTS
AN
STANDARD-MESFET.....................
42
3.2.3
EINFLUSS
DES
GATE-MESA-UBERGANGES....................
46
3.2.4
AUSWIRKUNGEN
DER
ESD-TESTS
AUF
DIE
AUSGANGSKENNLINIEN
OPTIMIERTER
MESFET..................................
48
3.3
LATENTE
BAUELEMENTESCHAEDEN...........................
55
3.4
AUSWERTUNG
UND
VERANSCHAULICHUNG
DER
ESD-AUSFALLGRENZEN
VON
GAAS-
MIKROWELLENBAUELEMENTEN
............................
57
V
4
ESD-SCHUTZSCHALTUNGSKONZEPT
FUER
DEN
MIKROWELLENBEREICH
60
4.1
KONVENTIONELLE
ESD-SCHUTZSCHALTUNGEN.....................
60
4.2
ANFORDERUNGEN
AN
EINE
ESD-SCHUTZSCHALTUNG
AUF
EINEM
MONOLITHISCH
INTEGRIER
TEN
MIKROWELLENSCHALTKREIS............................
60
4.3
NEUARTIGE
ESD-SCHUTZSCHALTUNGEN
AUF
DER
BASIS
VON
FELDEMISSIONSSTRUKTUREN
61
4.3.1
GASENTLADUNG...............................
62
4.4
PHYSIKALISCHE
BESCHREIBUNG
DER
FELDEMISSION..................
65
4.4.1
RICHARDSONFORMEL
FUER
THERMOEMISSION
.................
65
4.4.2
FOWLER-NORDHEIM
BESCHREIBUNG
DER
FELDEMISSION...........*
65
4.4.3
EINFACHE
ABSCHAETZUNG
DER
NOTWENDIGEN
FELDEMITTERGEOMETRIE.....
67
4.5
EVALUIERUNG
DES
MOEGLICHEN
SCHUTZSCHALTERPRINZIPES...............
68
4.6
ENTWURF
VON
FELDEMISSIONSBAUELEMENTEN.....................
70
4.6.1
PHYSIKALISCHE
ZUSAMMENHAENGE......................
70
4.6.2
EINFLUSS
DER
BILDKRAFT............................
71
4.7
METALLFILM-KANTENFELDEMITTER...........................
73
4.7.1
ABSCHAETZUNG
DER
NOTWENDIGEN
FELDEMITTERGEOMETRIE..........
73
4.7.2
TECHNOLOGIE
DER
METALLFILM-KANTENEMITTER................
74
4.7.3
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
UND
SCHALTVERHALTEN...........
74
4.7.4
SCHUTZWIRKUNG
DER
METALL-KANTEN-FELDEMISSIONS-STRUKTUREN......
76
4.8
FELDEMISSIONSKATHODEN
AUS
GAAS-HALBLEITERMATERIAL...............
78
4.8.1
HOMOGENE
KANTEN-EMISSION
DURCH
*ELECTRONIC-BLUNTING*IM
HALBLEI
TERMATERIAL.................................
79
4.8.2
QUASI-VAKUUM-BETRIEB...........................
80
4.8.3
ENTWURF
DES
SCHUTZSCHALTERS
BASIEREND
AUF
GAAS-FELDEMITTER......
80
4.8.4
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
GAAS-FELDEMISSIONS-DIODEN.......
81
4.8.5
FELDEMISSIONSSCHALTER
INTEGRIERT
MIT
EINEM
GAAS-MESFET.......
84
4.8.6
DAS
BERECHNETE
ELEKTRISCHE
FELD
DER
HERGESTELLTEN
FELDEMISSIONSGEOME
TRIEN.....................................
84
4.8.7
UNTERSCHIEDE
ZWISCHEN
METALL-
UND
HALBLEITER-FELDEMITTERN.......
86
4.9
DISKUSSION.....................................
88
VI
5
EIN
NEUARTIGES
FELDEMITTER-TRIODEN
KONZEPT
90
5.1
KONVENTIONELLE
TRIODENFORMEN..........................
90
5.2
DIE
NEUARTIGE
TRIODENFORM............................
91
5.2.1
FUNKTIONSWEISE..............................
91
5.2.2
DESIGN
UND
TECHNOLOGIE
.........................
94
5.3
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
ENTWICKELTEN
TRIODEN
..............
96
5.4
VERGLEICH
DER
ENTWICKELTEN
FELDEMISSIONSTRIODEN
MIT
KONVENTIONELLEN
VAKUUM-
FELDEMISSIONS-MIKROTRIODEN
...........................
99
5.5
DIE
MERKMALE
DER
NEUARTIGEN
TRIODEN......................
101
5.6
QUANTENEFFEKTE
IN
FELDEMISSIONSBAUELEMENTEN.................
102
5.6.1
COULOMB-BLOCKADE............................102
5.6.2
HOCHDICHTE
INFORMATIONSSPEICHER
AUF
DER
BASIS
VON
COULOMB-BLOCKADE
105
6
AUSBLICK
108
6.1
ESD-SCHUTZSCHALTER................................
108
6.2
MONOLITHISCHE
INTEGRATION
............................
108
6.3
HOCHFREQUENZEIGENSCHAFTEN............................
109
6.4
LEISTUNGSBAUELEMENTE...............................
110
6.5
FLACH-BILDSCHIRME................................
110
6.6
REDUKTION
DER
AUSTRITTSARBEIT..........................
111
6.7
ABWANDLUNGEN
DER
TECHNOLOGIE.........................
112
7
ZUSAMMENFASSUNG
114
ANHANG
A
ESD-MODELLE
117
ANHANG
B
TESTFELD
FUER
DIE
PROZESSKONTROLLE.
118
ANHANGC
BESCHREIBUNG
DER
MESFET-TECHNOLOGIE.
119
ANHANG
D
TECHNOLOGIETABELLEN
MESA
121
ANHANG
E
TECHNOLOGIETABELLEN
OHMSCHE
KONTAKTE
122
ANHANG
F
TECHNOLOGIETABELLEN
GATE-KONTAKT
123
VII
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Paper/Kapitel scannen lassen
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Bibliotheksmagazin
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Lageplan |
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| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |