Die Alterung bei N-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger, der Hot-Electron-Effekt:
Gespeichert in:
| Beteilige Person: | |
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1988
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9
81 |
| Schlagwörter: | |
| Beschreibung: | Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1988 |
| Umfang: | 115 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3181481092 |
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Paper/Kapitel scannen lassen
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Lageplan |
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| Exemplar 1 | Ausleihbar Am Standort |