Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | Deutsch |
| Veröffentlicht: |
Hannover
1982
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| Beschreibung: | Hannover, Univ., Diss., 1982 |
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Paper/Kapitel scannen lassen
Bibliotheksmagazin
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