Suchergebnisse - Hahn, Peter Otto

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    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
    von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch


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  2. 2
    Buchumschlag

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO(2) Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
    von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch


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    Buchumschlag

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
    von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Hochschulschrift/Dissertation Buch


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    Buchumschlag

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-Si02 Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
    von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch


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